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本書綜合了近幾年工業(yè)界的最新進(jìn)展和學(xué)術(shù)界的最新研究成果，詳細(xì)介紹并討論了碳化硅功率器件的基本原理、發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)、特性及測(cè)試方法、應(yīng)用技術(shù)和各應(yīng)用領(lǐng)域的方案。本書共分為12章，內(nèi)容涵蓋功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，SiC二極管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對(duì)比，雙脈沖測(cè)試技術(shù)，SiC器件的測(cè)試

《薄膜晶體管材料與技術(shù)》是戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材體系——“先進(jìn)功能材料與技術(shù)”系列教材之一。本書歸納薄膜晶體管（TFT）材料、器件及制備技術(shù)，總結(jié)和梳理TFT相關(guān)的基礎(chǔ)理論知識(shí)，包括材料物理與化學(xué)、器件物理、工藝原理以及實(shí)際應(yīng)用設(shè)計(jì)原理，進(jìn)一步提出新見解，為TFT技術(shù)的發(fā)展提供理論指導(dǎo)和方向參考。本書以T

氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)，可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關(guān)系，且當(dāng)前對(duì)大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性方面開展理論和實(shí)驗(yàn)創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件

本書是一本微電子技術(shù)方面的入門書籍，全面介紹了半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識(shí)。全書分為三個(gè)部分共19章，首先介紹了半導(dǎo)體基礎(chǔ)，講解了半導(dǎo)體物理方面的相關(guān)知識(shí)以及半導(dǎo)體制備工藝方面的基本概念。書中闡述了pn結(jié)、雙極結(jié)型晶體管（BJT）和其他結(jié)型器件的基本物理特性，并給出了相關(guān)特性的定性與定量分析。最后，作者討論了場(chǎng)效應(yīng)器件，除了講

本書提供了在各個(gè)工藝及系統(tǒng)層次的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場(chǎng)趨勢(shì)和存儲(chǔ)應(yīng)用之后，本書重點(diǎn)介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機(jī)遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(NVM)和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲(chǔ)器

。本冊(cè)為《半導(dǎo)體工藝原理》，主要內(nèi)容包括：鍺和硅的化學(xué)制備與提純、半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設(shè)備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。

本書共8章。其中，第1章介紹Si基GaN材料與芯片的研究意義，著重分析了GaN材料的性質(zhì)和Si基GaN外延材料與芯片制備的發(fā)展歷程。第2章從Si基GaN材料的外延生長(zhǎng)機(jī)理出發(fā)，依次介紹了GaN薄膜、零維GaN量子點(diǎn)、一維GaN納米線和二維GaN生長(zhǎng)所面臨的技術(shù)難點(diǎn)及對(duì)應(yīng)的生長(zhǎng)技術(shù)調(diào)控手段。第3～7章依次介紹了Si基Ga

本教程在簡(jiǎn)要介紹MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，全面敘述了MOSFET基本電學(xué)特性和二階效應(yīng)；介紹了MOSFET器件模型及建模測(cè)試結(jié)構(gòu)和方案設(shè)計(jì)；給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程；介紹了半導(dǎo)體器件SPICE模型建模平臺(tái)EmpyreanXModel，深入介紹了XModel的基本功能和界面；介

本書主要介紹薄膜晶體管（TFT）集成電路技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)知識(shí)和作者在該領(lǐng)域的代表性研究成果。內(nèi)容涵蓋圖像顯示和圖像傳感器件所需的TFT集成電路技術(shù)，如像素TFT電路、行驅(qū)動(dòng)（掃描）TFT電路以及列（數(shù)據(jù)）驅(qū)動(dòng)TFT電路等。全書共5章，分別為：薄膜晶體管（TFT）概述，有源矩陣液晶顯示（AMLCD）TFT電路，有源矩陣有機(jī)

本書將半導(dǎo)體技術(shù)60多年的發(fā)展史濃縮在有限的篇幅里，通過簡(jiǎn)明扼要的語(yǔ)言為我們講述關(guān)于芯片的那些事兒。本書主要圍繞“史前文明”——電子管時(shí)代、“新石器時(shí)代”——晶體管時(shí)代、“戰(zhàn)國(guó)時(shí)代”——中小規(guī)模集成電路時(shí)代、“大一統(tǒng)秦朝”——大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路時(shí)代、“大唐盛世”——特大規(guī)模和巨大規(guī)模集成電路時(shí)代、“走進(jìn)新時(shí)代”—