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半導體器件建模與測試實驗教程

半導體器件建模與測試實驗教程

定  價:58 元

        

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  • 作者:杜江鋒,石艷玲,朱能勇編著
  • 出版時間:2025/1/1
  • ISBN:9787121493713
  • 出 版 社:電子工業(yè)出版社
  • 中圖法分類:TN303 
  • 頁碼:248頁
  • 紙張:
  • 版次:1
  • 開本:26cm
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本教程在簡要介紹MOSFET場效應晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上,全面敘述了MOSFET基本電學特性和二階效應;介紹了MOSFET器件模型及建模測試結(jié)構(gòu)和方案設(shè)計;給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程;介紹了半導體器件SPICE模型建模平臺EmpyreanXModel,深入介紹了XModel的基本功能和界面;介紹了MOSFET器件電學特性測試平臺、測試模式和測試流程;分別介紹了MOSFET器件電學特性如C-V、轉(zhuǎn)移特性和輸出特性的測量方法;深入介紹了MOSFET模型參數(shù)提取的實驗步驟和使用流程;介紹了MOSFET射頻模型參數(shù)提取方法和使用流程;并介紹了GaN器件模型參數(shù)提取方法和使用流程。
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