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本書提供了在各個(gè)工藝及系統(tǒng)層次的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場(chǎng)趨勢(shì)和存儲(chǔ)應(yīng)用之后，本書重點(diǎn)介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機(jī)遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(NVM)和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲(chǔ)器以及存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)的各項(xiàng)必備條件和系統(tǒng)級(jí)需求。每一章都涵蓋了物理運(yùn)行機(jī)制、制造技術(shù)和可微縮性的主要挑戰(zhàn)因素。最后，本書回顧了SCM的新興趨勢(shì)，主要關(guān)注基于相變的存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和機(jī)遇。