氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)，可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關(guān)系，且當(dāng)前對(duì)大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性方面開(kāi)展理論和實(shí)驗(yàn)創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件
本書(shū)提供了在各個(gè)工藝及系統(tǒng)層次的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場(chǎng)趨勢(shì)和存儲(chǔ)應(yīng)用之后，本書(shū)重點(diǎn)介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機(jī)遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)、非易失性存儲(chǔ)器(NVM)和NAND閃存。本書(shū)還提及了嵌入式存儲(chǔ)器
。本冊(cè)為《半導(dǎo)體工藝原理》，主要內(nèi)容包括：鍺和硅的化學(xué)制備與提純、半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設(shè)備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。
本書(shū)共8章。其中，第1章介紹Si基GaN材料與芯片的研究意義，著重分析了GaN材料的性質(zhì)和Si基GaN外延材料與芯片制備的發(fā)展歷程。第2章從Si基GaN材料的外延生長(zhǎng)機(jī)理出發(fā)，依次介紹了GaN薄膜、零維GaN量子點(diǎn)、一維GaN納米線和二維GaN生長(zhǎng)所面臨的技術(shù)難點(diǎn)及對(duì)應(yīng)的生長(zhǎng)技術(shù)調(diào)控手段。第3～7章依次介紹了Si基Ga
本教程在簡(jiǎn)要介紹MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，全面敘述了MOSFET基本電學(xué)特性和二階效應(yīng)；介紹了MOSFET器件模型及建模測(cè)試結(jié)構(gòu)和方案設(shè)計(jì)；給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程；介紹了半導(dǎo)體器件SPICE模型建模平臺(tái)EmpyreanXModel，深入介紹了XModel的基本功能和界面；介
本書(shū)詳細(xì)介紹了多芯片SiCMOSFET功率模塊設(shè)計(jì)所面臨的物理挑戰(zhàn)及相應(yīng)的工程解決方案，主要內(nèi)容包括多芯片功率模塊、功率模塊設(shè)計(jì)及應(yīng)用、功率模塊優(yōu)化設(shè)計(jì)、功率模塊壽命評(píng)估方法、耐高溫功率模塊、功率模塊先進(jìn)評(píng)估技術(shù)、功率模塊退化監(jiān)測(cè)技術(shù)、功率模塊先進(jìn)熱管理方案、功率模塊新興的封裝技術(shù)等。本書(shū)所有章節(jié)均旨在提供關(guān)于多芯片S
"為了應(yīng)對(duì)我國(guó)在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國(guó)家的局面,破解光刻制造設(shè)備、材料和光學(xué)鄰近效應(yīng)修正軟件幾乎完全依賴進(jìn)口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近20年的資深研發(fā)人員,作者肩負(fù)著協(xié)助光刻設(shè)備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責(zé)任,將為了應(yīng)對(duì)我國(guó)在集成電路領(lǐng)域，尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國(guó)家的局
半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書(shū)詳細(xì)描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認(rèn)定，并討論了基本的物理和理論。本書(shū)涵蓋了初始規(guī)范定義、測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、測(cè)試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的最終認(rèn)定，是一本實(shí)用的、全面的指南，提供了驗(yàn)證前端器件和后端互連的測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的實(shí)際范例。
本書(shū)概述了業(yè)界前沿研究者所采取的技術(shù)方法，以及他們所面臨的挑戰(zhàn)和在該領(lǐng)域所取得的進(jìn)展。具體內(nèi)容包括寬禁帶半導(dǎo)體器件中的熱問(wèn)題、氮化鎵(GaN)及相關(guān)材料的第一性原理熱輸運(yùn)建模、多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運(yùn)、固體界面熱輸運(yùn)基本理論、氮化鎵界面熱導(dǎo)上限的預(yù)測(cè)和測(cè)量、AlGaN/GaNHEMT器件物理與電熱建模、氮
本書(shū)是國(guó)外學(xué)者們對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù)和趨勢(shì)的及時(shí)總結(jié)。首先，對(duì)寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢(shì)做了總結(jié)和預(yù)演判斷，講述寬禁帶功率半導(dǎo)體的基本原理和特性，包括其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性，以及它們?cè)跇O端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢(shì)。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術(shù)和襯底展開(kāi)論述，同時(shí)，介紹了磁性材料，并對(duì)不同材料結(jié)構(gòu)的熱性能，以及冷
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