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當(dāng)前分類數(shù)量:338  點(diǎn)擊返回 當(dāng)前位置：首頁(yè) > 中圖法 【TN3 半導(dǎo)體技術(shù)】 分類索引
  • 功率半導(dǎo)體器件
    • 功率半導(dǎo)體器件
    • 關(guān)艷霞劉斌吳美樂(lè)盧雪梅/2023-6-1/ 機(jī)械工業(yè)出版社/定價(jià)：¥79

    • 本書內(nèi)容包括4部分。第1部分介紹功率半導(dǎo)體器件的分類及發(fā)展歷程，主要包括功率半導(dǎo)體器件這個(gè)“大家族”的主要成員及各自的特點(diǎn)和發(fā)展歷程。第2部分介紹功率二極管，在傳統(tǒng)的功率二極管（肖特基二極管和PiN二極管）的基礎(chǔ)上，增加了JBS二極管和MPS二極管等新型單、雙極型二極管的內(nèi)容。第3部分介紹功率開關(guān)器件，主要分為傳統(tǒng)開關(guān)

    • ISBN：9787111727743
  • 硅通孔垂直互連技術(shù)
    • 硅通孔垂直互連技術(shù)
    • 陳志銘，丁英濤，肖磊著/2023-5-1/ 北京理工大學(xué)出版社/定價(jià)：¥40

    • 硅通孔垂直互連技術(shù)是實(shí)現(xiàn)三維集成電路與微系統(tǒng)的關(guān)鍵核心技術(shù)。硅通孔可以有效縮短芯片間的互連距離，提高互連密度，從而實(shí)現(xiàn)更大的帶寬、更低的功耗和更小的尺寸。本書以作者多年來(lái)在垂直硅通孔結(jié)構(gòu)、模型、制造工藝等方面的研究成果為基礎(chǔ)，系統(tǒng)全面地介紹硅通孔制備過(guò)程中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，是一本講述基于硅工藝的三維垂直互連技術(shù)的專著。此

    • ISBN：9787576324389
  • 宇航MOSFET器件單粒子輻射加固技術(shù)與實(shí)踐
    • 宇航MOSFET器件單粒子輻射加固技術(shù)與實(shí)踐
    • 付曉君[等]編著/2023-5-1/ 哈爾濱工業(yè)大學(xué)出版社/定價(jià)：¥98

    • 本書系統(tǒng)介紹宇航MOSFET器件的單粒子效應(yīng)機(jī)理和加固技術(shù)。全書共6章，主要內(nèi)容包括空間輻射環(huán)境與基本輻射效應(yīng)、宇航MOSFET器件的空間輻射效應(yīng)及損傷模型、宇航MOSFET器件抗單粒子輻射加固技術(shù)、宇航MOSFET器件測(cè)試技術(shù)與輻照試驗(yàn)，并以一款宇航VDMOS器件為實(shí)例，詳述了抗單粒子加固樣品的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝細(xì)節(jié)

    • ISBN：9787576705416
  • 氮化鎵微波功率器件
    • 氮化鎵微波功率器件
    • 馬曉華, 鄭雪峰, 張進(jìn)成編著/2023-4-1/ 西安電子科技大學(xué)出版社/定價(jià)：¥108

    • 本書共6章,包括緒論、氮化物材料MOCVD生長(zhǎng)技術(shù)、氮化鎵微波功率器件技術(shù)、微波功率器件新型工藝、微波功率器件建模技術(shù)、新型氮化鎵微波功率器件。

    • ISBN：9787560668451
  • 半導(dǎo)體材料表征方法與技術(shù)
    • 半導(dǎo)體材料表征方法與技術(shù)
    • 楊周，劉生忠編著/2023-4-1/ 陜西師范大學(xué)出版社/定價(jià)：¥40

    • 本書以數(shù)據(jù)分析為基礎(chǔ)，探討了半導(dǎo)體材料及器件的特征參數(shù)分析和檢測(cè)的方法和技術(shù)。全書共七章，包括數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)分析、半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、半導(dǎo)體材料的接觸及能帶結(jié)構(gòu)測(cè)量、半導(dǎo)體缺陷及測(cè)量、載流子遷移率的測(cè)量、載流子動(dòng)力學(xué)和太陽(yáng)能電池的基本原理及表征，對(duì)相關(guān)材料專業(yè)學(xué)生和科研工作人員具有很好的參考價(jià)值和意義。

    • ISBN：9787569531480
  • LED技術(shù)及應(yīng)用
    • LED技術(shù)及應(yīng)用
    • 杜嵩榕/2023-4-1/ 電子工業(yè)出版社/定價(jià)：¥38

    • 本書是光電課程改革創(chuàng)新系列教材之一，全書共有8個(gè)項(xiàng)目27個(gè)任務(wù)，主要內(nèi)容包括LED封裝技術(shù)、LED性能測(cè)試、LED驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)、LED照明燈具裝配、LED景觀照明設(shè)計(jì)與制作、LED顯示屏應(yīng)用、LED智能路燈應(yīng)用、LED智能照明系統(tǒng)。本書在介紹上述內(nèi)容的同時(shí)有機(jī)融入愛(ài)國(guó)主義、職業(yè)素養(yǎng)、辯證思維等思政元素。本書是新編校企合

    • ISBN：9787121453342
  • 薄膜晶體管原理及應(yīng)用（第2版）
    • 薄膜晶體管原理及應(yīng)用（第2版）
    • 董承遠(yuǎn)/2023-4-1/ 清華大學(xué)出版社/定價(jià)：¥49

    • 作為薄膜晶體管(TFT)技術(shù)的入門教材，本書以非晶硅薄膜晶體管（a-SiTFT)和多晶硅薄膜晶體管(p-SiTFT)為例詳細(xì)講解了與TFT技術(shù)相關(guān)的材料物理、器件物理和制備工藝原理及其在平板顯示中的應(yīng)用原理等。本書共分7章。第1章簡(jiǎn)單介紹了薄膜晶體管的發(fā)展簡(jiǎn)史；第2章詳細(xì)闡述了TFT在平板顯示有源矩陣驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用原理；

    • ISBN：9787302627777
  • 電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級(jí)證書考核題庫(kù)
    • 電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級(jí)證書考核題庫(kù)
    • 戚國(guó)強(qiáng)，李朝林，徐建麗主編/2023-3-1/ 中國(guó)鐵道出版社/定價(jià)：¥28

    • 本書對(duì)標(biāo)電子裝聯(lián)職業(yè)技能標(biāo)準(zhǔn)(中級(jí))的考核方案，本題庫(kù)分為理論知識(shí)題庫(kù)和實(shí)操題庫(kù)兩部分。理論知識(shí)題庫(kù)按照工作任務(wù)進(jìn)行劃分，每個(gè)任務(wù)的考核由判斷題、選擇題、簡(jiǎn)述題和案例分析題四種題型構(gòu)成；同時(shí)，為方便學(xué)員的自我學(xué)習(xí)、自我檢查，該題庫(kù)還提供了部分習(xí)題的參考答案，利于學(xué)習(xí)效果的檢測(cè)。實(shí)操題庫(kù)根據(jù)電子裝聯(lián)職業(yè)技能標(biāo)準(zhǔn)(中級(jí))中

    • ISBN：9787113269890
  • 壓接型IGBT器件封裝可靠性建模與測(cè)評(píng)
    • 壓接型IGBT器件封裝可靠性建模與測(cè)評(píng)
    • 李輝等/2023-3-1/ 科學(xué)出版社/定價(jià)：¥119

    • 全書較為系統(tǒng)地論述了壓接型IGBT器件封裝疲勞失效機(jī)理及其可靠性建模與測(cè)評(píng)等，既有理論原理、仿真分析、又有實(shí)驗(yàn)測(cè)試等。全書內(nèi)容可為高壓大功率壓接器件的可靠性設(shè)計(jì)優(yōu)化和測(cè)試奠定理論基礎(chǔ)；同時(shí)也為實(shí)現(xiàn)柔直裝備安全運(yùn)行的狀態(tài)評(píng)估和主動(dòng)運(yùn)維提供技術(shù)支撐，從而進(jìn)一步支撐以高壓大功率IGBT器件為核心的柔直裝備及電力系統(tǒng)安全。

    • ISBN：9787030712745
  • 半導(dǎo)體材料（第四版）
    • 半導(dǎo)體材料（第四版）
    • 張?jiān)礉�，楊樹人，徐穎/2023-3-1/ 科學(xué)出版社/定價(jià)：¥59

    • 本書介紹了主要半導(dǎo)體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學(xué)制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長(zhǎng)；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長(zhǎng)；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體；第7章為Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)；第8章為Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體；第9章為Ⅱ

    • ISBN：9787030751911