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目錄
緒論1
第1章硅和鍺的化學(xué)制備4
1.1硅和鍺的物理化學(xué)性質(zhì)4
1.2高純硅的制備6
1.3鍺的富集與提純13
第2章區(qū)熔提純16
2.1相圖16
2.2分凝現(xiàn)象與分凝系數(shù)25
2.3區(qū)熔原理29
2.4鍺的區(qū)熔提純38
第3章晶體生長(zhǎng)39
3.1晶體生長(zhǎng)理論基礎(chǔ)39
3.2熔體的晶體生長(zhǎng)55
3.3硅、鍺單晶生長(zhǎng)61
第4章硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷68
4.1硅、鍺晶體中雜質(zhì)的性質(zhì)68
4.2硅、鍺晶體的摻雜71
4.3硅、鍺單晶的位錯(cuò)87
4.4硅單晶中的微缺陷92
第5章硅外延生長(zhǎng)96
5.1外延生長(zhǎng)概述96
5.2硅襯底制備98
5.3硅的氣相外延生長(zhǎng)102
5.4硅外延層電阻率的控制113
5.5硅外延層的缺陷118
5.6硅的異質(zhì)外延122
第6章Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體127
6.1Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的特性127
6.2砷化鎵單晶的生長(zhǎng)方法133
6.3砷化鎵單晶中雜質(zhì)的控制140
6.4砷化鎵單晶的完整性144
6.5其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制備146
第7章Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長(zhǎng)150
7.1氣相外延生長(zhǎng)（VPE）150
7.2金屬有機(jī)物氣相外延生長(zhǎng)（MOVPE）153
7.3液相外延生長(zhǎng)（LPE）160
7.4分子束外延生長(zhǎng)（MBE）165
7.5化學(xué)束外延生長(zhǎng)（CBE）169
7.6其他外延生長(zhǎng)技術(shù)171
第8章Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體176
8.1異質(zhì)結(jié)與晶格失配177
8.2GaAlAs外延生長(zhǎng)178
8.3InGaAsP外延生長(zhǎng)182
第9章Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體187
9.1Ⅱ-Ⅵ族化合物單晶材料的制備187
9.2Ⅱ-Ⅵ族化合物的點(diǎn)缺陷與自補(bǔ)償現(xiàn)象193
9.3Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料196
第10章低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料201
10.1低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的基本特性201
10.2半導(dǎo)體超晶格與量子阱202
10.3半導(dǎo)體量子線與量子點(diǎn)211
10.4低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的現(xiàn)狀及未來(lái)215
第11章氧化物半導(dǎo)體材料217
11.1氧化物半導(dǎo)體材料的制備217
11.2氧化物半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)220
11.3氧化物半導(dǎo)體材料的應(yīng)用223
第12章寬禁帶半導(dǎo)體材料228
12.1Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料228
12.2SiC材料237
第13章其他半導(dǎo)體材料248
13.1窄帶隙半導(dǎo)體248
13.2黃銅礦型半導(dǎo)體250
13.3非晶態(tài)半導(dǎo)體材料251
13.4有機(jī)半導(dǎo)體材料252
13.5鈣鈦礦半導(dǎo)體材料255
參考文獻(xiàn)256