集成電路制造向幾納米節(jié)點工藝的發(fā)展，需要具有原子級保真度的刻蝕技術，原子層刻蝕（ALE）技術應運而生�！栋雽w干法刻蝕技術：原子層工藝》主要內(nèi)容有：熱刻蝕、熱各向同性ALE、自由基刻蝕、定向ALE、反應離子刻蝕、離子束刻蝕等，探討了尚未從研究轉(zhuǎn)向半導體制造的新興刻蝕技術，涵蓋了定向和各向同性ALE的全新研究和進展。《半
本書以工程應用為目標，聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問題及最新應用問題，以圖文并茂的形式，介紹了焊接的基礎原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見不良現(xiàn)象，以及組裝工藝帶來的可靠性問題。全書結(jié)合內(nèi)容需求，編入了幾十個經(jīng)典案例，這些案例非常典型，不僅有助于讀者深入理解有關工藝的概念和原理，也可作為類似不良
本書系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學方法、動力學蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應用，揭示了典型半導
本書全面闡述了半導體刻蝕加工及金屬輔助化學刻蝕加工原理與工藝，詳細講述了硅折點納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類典型微/納米結(jié)構(gòu)的刻蝕加工工藝，并對第三代半導體碳化硅的電場和金屬輔助化學刻蝕復合加工、第三代半導體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場和濕法刻蝕復合加工工藝進行了詳細論述。
本書主要描述常用半導體器件的基本結(jié)構(gòu)、工作原理以及電特性。內(nèi)容包括：半導體物理基礎、PN結(jié)、PN結(jié)二極管應用、雙極型晶體管、結(jié)型場效應晶體管、MOSFET以及新型場效應晶體管，如FinFET、SOIFET、納米線圍柵(GAA)FET等，共計七章。與同類教材比較，本教材增加了pn結(jié)二極管應用以及新型場效應晶體管的介紹，反
《半導體先進封裝技術》作者在半導體封裝領域擁有40多年的研發(fā)和制造經(jīng)驗。《半導體先進封裝技術》共分為11章，重點介紹了先進封裝，系統(tǒng)級封裝，扇入型晶圓級/板級芯片尺寸封裝，扇出型晶圓級/板級封裝，2D、2.1D和2.3DIC集成，2.5DIC集成，3DIC集成和3DIC封裝，混合鍵合，芯粒異質(zhì)集成，低損耗介電材料和先進
本書比較全面地介紹了當前表面組裝技術(SMT)生產(chǎn)線及主要設備、建線工程、設備選型、基板、元器件、工藝材料等基礎知識和表面組裝印制電路板可制造性設計(DFM)等內(nèi)容。全書分為6章，分別是第1章緒論、第2章SMT生產(chǎn)材料準備、第3章SMT涂敷工藝技術、第4章MT貼裝工藝技術、第5章MT檢測工藝技術、第6章MT清洗工藝技術
本書旨在向材料及微電子集成相關專業(yè)的高年級本科生、研究生及從事材料與器件集成行業(yè)的科研人員介紹柵介質(zhì)材料制備與相關器件集成的專業(yè)技術。本書共10章，包括了集成電路的發(fā)展趨勢及后摩爾時代的器件挑戰(zhàn)，柵介質(zhì)材料的基本概念及物理知識儲備，柵介質(zhì)材料的基本制備技術及表征方法；著重介紹了柵介質(zhì)材料在不同器件中的集成應用，如高κ與
本書介紹了當前主流的光學光刻、先進的極紫外光刻以及下一代光刻技術。主要內(nèi)容涵蓋了光刻理論、工藝、材料、設備、關鍵部件、分辨率增強、建模與仿真、典型物理與化學效應等，包括光刻技術的前沿進展，還總結(jié)了極紫外光刻的特點、存在問題與發(fā)展方向。
全書共分為4章，系統(tǒng)闡述了輻射誘導半導體缺陷的相關理論、數(shù)值模擬方法、表征技術及應用。空間輻射誘導缺陷是導致電子元器件性能退化的重要原因，然而輻射誘導缺陷的形成、演化和性質(zhì)與半導體材料本身物理屬性、器件類型及結(jié)構(gòu)密切相關。
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