讀者對象:可供學習化學分析專業(yè)知識的學生, 化學檢測分析學員, 初級、中級、高級工業(yè)化學分析工以及工廠化驗室崗位培訓教師, 理化檢測中心、科研單位和大專院校等有關科技人員使用及參閱
《實用等離子體發(fā)射光譜分析技術》涵蓋了等離子體發(fā)射光譜分析基礎知識和現代分析儀器檢測技術，介紹了相關基礎知識（不確定度、標準物質、數據處理等）、儀器安裝及維護保養(yǎng)、等離子體發(fā)射光譜分析基本原理、等離子體發(fā)射光譜儀器結構單元及特性（氣路系統(tǒng)、RF發(fā)生器系統(tǒng)、光源系統(tǒng)、進樣系統(tǒng)、分光系統(tǒng)、檢測系統(tǒng)）、前處理、儀器操作經驗與故障排除技術、黑色金屬應用、有色金屬應用、礦物及硅酸鹽應用試料、有機物進樣技術的應用和其他方面應用等。
本書可供學習化學分析專業(yè)知識的學生，化學檢測分析學員，初級、中級、高級工業(yè)化學分析工以及工廠化驗室崗位培訓教師，理化檢測中心、科研單位和大專院校等有關科技人員使用及參閱。
第1章 基礎知識
1.1 不確定度
1.2 標準物質
1.3 檢測標準
1.4 分析方法的評價
第2章 儀器安裝及維護保養(yǎng)
2.1 儀器安裝基本條件
2.2 儀器的維護保養(yǎng)
2.3 開機前后注意事項
第3章 光譜分析基本原理
3.1 等離子體發(fā)射光譜分析原理
3.2 定性和定量分析方法
3.3 工作參數
3.4 靈敏度、檢出限、精密度和背景等效濃度
3.5 干擾效應與校正
3.6 ICP應用范圍及其發(fā)展前景
第4章 儀器結構單元及特性
4.1 氣路系統(tǒng)及其附屬設施
4.2 ICP光源系統(tǒng)
4.3 進樣系統(tǒng)
4.4 分光系統(tǒng)
4.5 檢測系統(tǒng)
第5章 試料前處理
5.1 制樣
5.2 試料處理前的工作
5.3 試料溶解
5.4 分離和富集
5.5 微波消解法
5.6 固體試料引入法
5.7 氫化物發(fā)生引入法
第6章 儀器操作經驗與故障排除技術
6.1 前處理和輔機設備
6.2 點火故障
6.3 譜線強度值的升降
6.4 數據精密度差
6.5 進樣系統(tǒng)
6.6 炬管故障問題
6.7 儀器開關“跳閘”
6.8 光譜譜線問題
6.9 標準曲線校正失敗
第7章 黑色金屬中的應用
7.1 鋼鐵及其合金的分析
7.2 生鐵及其鑄鐵的分析
7.3 鐵合金的分析
7.4 鐵基粉末冶金的分析
7.5 黑色金屬純物質及其氧化物的分析
7.6 黑色金屬中微量、痕量元素的分析
第8章 有色金屬中的應用
8.1 鋁及鋁合金分析
8.2 銅合金分析
8.3 鋅合金分析
8.4 鎂合金分析
8.5 鎳合金分析
8.6 鋯合金分析
8.7 鎢合金分析
8.8 鈦及鈦合金分析
8.9 貴金屬分析
8.10 有色金屬及催化劑的分析
8.11 純金屬及其氧化物分析
第9章 礦物和硅酸鹽類中的應用
第10章 有機物進樣技術中的應用
第11章 其他方面中的應用
附錄 ICP－AES常用譜線、檢出限及干擾元素
參考文獻
在ICP光譜分析中，由于RF功率的變化將導致等離子溫度、電子密度和發(fā)射強度值的空間分布發(fā)生變化，不同的元素和不同譜線其影響也有所不同。元素譜線強度隨RF功率的增加而增加，也就是說其功率大小與光強度值呈正比關系。RF功率大小直接影響等離子體溫度及離子化程度，從而改變靈敏度。若功率過大，會帶來背景輻射增強，信背比下降。由于信背比和檢出限有關，增加RF功率將導致信背比下降，檢出限升高；較低的功率可獲得較低的檢出限，但會導致基體效應增高。在具體分析過程中，操作者可通過實驗選擇RF功率。具體步驟為：點燃等離子體，穩(wěn)定約15min后，建立分析方法，導人待測元素的標準溶液。通過分析方法的設置，將RF功率從750W到1550W進行增量調整，每次功率變化量為50W，然后分別進行測試。選擇信背比最大的RF功率，以此作為最佳功率輸入到分析方法中。
一般來說，堿金屬和堿土金屬，由于其易電離、易激發(fā)，選用的RF功率范圍為（800～1100）W；水溶液樣品中常規(guī)元素分析，選用的RF功率范圍為（1100-1300）W；測定較難激發(fā)的As、Sb、Bi、Pb、Sn等元素時，選用的RF功率宜高于1300W；有機試劑或有機溶劑樣品，為了便于有機溶質的充分分解，選用的RF功率范圍為（1300～1600）W。
3.3.2 觀測高度
觀測高度是指工作線圈的頂部至測定軸的距離。
當炬管垂直放置時，采用側向采光。由于各種元素在等離子體中的最佳激發(fā)區(qū)不同，其觀測高度也不同。通常情況下，堿金屬、堿土金屬和元素周期表第Ⅲ第Ⅳ副族元素屬于低電離易激發(fā)的元素，其觀測高度較低；而難電離及不易激發(fā)的元素，如As、Sb、Se等，其觀測高度較高。
觀測高度與干擾效應的依賴關系十分復雜，主要是揮發(fā)一原子化干擾與觀察高度或樣品顆粒在ICP放電中的停留時間有著密切的關系。Kawagnchi等認為在較低觀測高度的等離子區(qū)域（8mm以下），干擾情況為分子的離解速率所制約，即揮發(fā)－原子化干擾是主要的，而在等離子體較高的區(qū)域（10～20）mm，揮發(fā)干擾較小，因此，為減小或消除這類干擾，適當延長樣品顆粒在ICP放電通道中的停留時間及路程，即觀察高度是必要的。
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