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第1章  緒論
  1.1 半導體集成電路的發(fā)展過程
  1.2 半導體集成電路的分類
    1.2.1 按半導體集成電路規(guī)模分類
    1.2.2 按電路功能分類
    1.2.3 按有源器件的類型分類
    1.2.4 按應用性質分類
  1.3 半導體集成電路的發(fā)展特點
    1.3.1 集成度不斷提高
    1.3.2 器件的特征尺寸不斷縮小
    1.3.3 專業(yè)化分工發(fā)展成熟
    1.3.4 系統(tǒng)集成芯片的發(fā)展
    1.3.5 半導體集成電路帶動其他學科的發(fā)展
  1.4 半導體集成電路可靠性評估體系
    1.4.1 工藝可靠性評估
    1.4.2 集成電路的主要失效模式
    1.4.3 集成電路的主要失效機理
    1.4.4 集成電路可靠性面臨的挑戰(zhàn)
  參考文獻
第2章  半導體集成電路的基本工藝
  2.1 氧化工藝
    2.1.1 SiO2的性質
    2.1.2 SiO2的作用
    2.1.3 SiO2膜的制備
    2.1.4 SiO2膜的檢測
    2.1.5 SiO2膜的主要缺陷
  2.2 化學氣相沉積法制備薄膜
    2.2.1 化學氣相沉積概述
    2.2.2 化學氣相沉積的主要反應類型
    2.2.3 CVD制備薄膜
    2.2.4 CVD摻雜
  2.3 擴散摻雜工藝
    2.3.1 擴散形式
    2.3.2 常用雜質的擴散方法
    2.3.3 擴散分布的分析
  2.4 離子注入工藝
    2.4.1 離子注入技術概述
    2.4.2 離子注入的濃度分布與退火
  2.5 光刻工藝
    2.5.1 光刻工藝流程
    2.5.2 光刻膠的曝光
    2.5.3 光刻膠的曝光方式
    2.5.4 32nm和22nm的光刻
    2.5.5 光刻工藝產生的微缺陷
  2.6 金屬化工藝
    2.6.1 金屬化概述
    2.6.2 金屬膜的沉積方法
    2.6.3 金屬化工藝
    2.6.4 Al/Si接觸及其改進
    2.6.5 阻擋層金屬
    2.6.6 Al膜的電遷移
    2.6.7 金屬硅化物
    2.6.8 金屬鎢
    2.6.9 銅互連工藝
  參考文獻
第3章  缺陷的來源和控制
  3.1 缺陷的基本概念
    3.1.1 缺陷的分類
    3.1.2 前端和后端引入的缺陷
  3.2 引起缺陷的污染物
    3.2.1 顆粒污染物
    3.2.2 金屬離子
    3.2.3 有機物沾污
    ……
第4章  半導體集成電路制造工藝
第5章  半導體集成電路的主要失效機理
第6章  可靠性數(shù)據(jù)的統(tǒng)計分析基礎
第7章  半導體集成電路的可靠性評價
第8章  可靠性測試結構的設計
第9章  MOS場效應晶體管的特性
第10章  集成電路的可靠性仿真
第11章  集成電路工藝失效機理的可靠性評價
主要符號表
英文縮略詞及術語