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叢書名：“十二五”普通高等教育本科國家級規(guī)劃教材
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- 作者：康華光主編
- 出版時間：2013/12/1
- ISBN：9787040384802
- 出 版 社：高等教育出版社
- 中圖法分類：TN01
- 頁碼：576
- 紙張：膠版紙
- 版次：6
- 開本：16K
《電子技術基礎：模擬部分（第六版）/“十二五”普通高等教育本科國家級規(guī)劃教材》的上一版為普通高等教育“十五”國家級規(guī)劃教材，第四版為面向21世紀課程教材，榮獲2002年全國普通高等學校優(yōu)秀教材一等獎。
為適應MOSFET器件在電子產(chǎn)品中已占統(tǒng)治地位這一發(fā)展形勢，新版教材大力加強了MOSFET的相關內(nèi)容。全書共11章，分別是：緒論，運算放大器，二極管及其基本電路，場效應三極管及其放大電路，雙極結(jié)型三極管及其放大電路，頻率響應，模擬集成電路，反饋放大電路，功率放大電路，信號處理與信號產(chǎn)生電路，直流穩(wěn)壓電源，電子電路的計算機輔助分析與設計。附錄包含PSpice/SPICE軟件簡介、電路理論簡明復習、電阻的彩色編碼和標稱阻值。
《電子技術基礎：模擬部分（第六版）/“十二五”普通高等教育本科國家級規(guī)劃教材》可作為高等學校電氣類、電子信息類、自動化類等專業(yè)“模擬電子技術基礎”課程的教材，也可供相關工程技術人員參考。
康華光主編的《電子技術基礎模擬部分（第六版）》通過各種半導體器件及其電路來闡明電子技術中的基本概念、基本原理和基本分析方法。對于基本的和常用的半導體電路(包括脈沖數(shù)字電路)，除了作定性的分析外，還介紹了工程計算或設計方法。為了加深對課堂知識的理解，列舉了若干電路實例，并配有一定數(shù)量的例題、思考題和習題。
康華光，1925年8月出生于湖南衡山，現(xiàn)為華中科技大學教授、博士生導師。長期從事電子技術教學與生物醫(yī)學工程研究。
康教授1951年畢業(yè)于武漢大學電機工程學系并留校任教。1953年院系調(diào)整到華中科技大學（原華中工學院）工作至今。現(xiàn)任中國電子學會生物醫(yī)學電子學分會委員。曾任國家教委高校工科電工課程教學指導委員會副主任兼電子技術課程教學指導小組組長。
由康華光主編的《電子技術基礎》（模擬、數(shù)字部分）第一、二、三、四版（高等教育出版社，1979、1982、1988、1999年）曾先后于1988、1992、1996、2002年榮獲四次國家級獎勵，含優(yōu)秀教材獎、優(yōu)秀教材特等獎、科技進步二等獎和優(yōu)秀教材一等獎。主持研究的“優(yōu)化電子技術基礎課程建設”項目，榮獲1989年國家級優(yōu)秀教學研究成果獎。
在科研方面，主要從事交叉學科的研究，如生物醫(yī)學信息的檢測與分析以及細胞電生理研究。建立了國內(nèi)第一個具有國際先進水平的細胞信使實驗室。主持了多項國家級科研課題，開展國內(nèi)、國際交流與合作，成績卓著。培養(yǎng)了博士、碩士生40余名。發(fā)表了多篇學術論文和專著《膜片鉗技術及其應用》（科學出版社，2002年）。
1 緒論
1.1 信號
1.2 信號的頻譜
1.3 模擬信號和數(shù)字信號
1.4 放大電路模型
1.5 放大電路的主要性能指標
小結(jié)
習題
2 運算放大器
2.1 集成電路運算放大器
2.2 理想運算放大器
2.3 基本線性運放電路
2.3.1 同相放大電路
2.3.2 反相放大電路
2.4 同相輸入和反相輸入放大電路的其他應用
2.4.1 求差電路
2.4.2 儀用放大器
2.4.3 求和電路
2.4.4 積分電路和微分電路
2.5 SPICE仿真例題
小結(jié)
習題
3 二極管及其基本電路
3.1 半導體的基本知識
3.1.1 半導體材料
3.1.2 半導體的共價鍵結(jié)構(gòu)
3.1.3 本征半導體、空穴及其導電作用
3.1.4 雜質(zhì)半導體
3.2 PN結(jié)的形成及特性
3.2.1 載流子的漂移與擴散
3.2.2 PN結(jié)的形成
3.2.3 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/span>
3.2.4 PN結(jié)的反向擊穿
3.2.5 PN結(jié)的電容效應
3.3 二極管
3.3.1 二極管的結(jié)構(gòu)
3.3.2 二極管的/-V特性
3.3.3 二極管的主要參數(shù)
3.4 二極管的基本電路及其分析方法
3.4.1 簡單二極管電路的圖解分析方法
3.4.2 二極管電路的簡化模型分析方法
3.5 特殊二極管
3.5.1 齊納二極管
3.5.2 變?nèi)荻䴓O管
3.5.3 肖特基二極管
3.5.4 光電器件
3.6 SPICE仿真例題
小結(jié)
習題
4 場效應三極管及其放大電路
4.1 金屬一氧化物一半導體（MOS）場效應三極管
4.1.1 N溝道增強型MOSFET
4.1.2 N溝道耗盡型MOSFET
4.1.3 P溝道MOSFET
4.1.4 溝道長度調(diào)制等幾種效應
4.1.5 MOSFET的主要參數(shù)
4.2 MOSFET基本共源極放大電路
4.2.1 基本共源極放大電路的組成
4.2.2 基本共源極放大電路的工作原理
4.2.3 放大電路的習慣畫法和主要分析法
4.3 圖解分析法
4.3.1 用圖解方法確定靜態(tài)工作點Q
4.3.2 動態(tài)工作情況的圖解分析
4.3.3 圖解分析法的適用范圍
4.4 小信號模型分析法
4.4.1 MOSFET的小信號模型
4.4.2 用小信號模型分析共源極放大電路
4.4.3 帶源極電阻的共源極放大電路的分析
4.4.4 小信號模型分析法的適用范圍
4.5 共漏極和共柵極放大電路
4.5.1 共漏極（源極跟隨器）放大電路
4.5.2 共柵極放大電路
4.5.3 MOSFET放大電路三種組態(tài)的總結(jié)和比較
4.6 集成電路單級MOSFET放大電路
4.6.1 帶增強型負載管的NMOS放大電路
4.6.2 帶耗盡型負載管的NMOS放大電路
4.6.3 帶PMOS負載管的NMOS放大電路（CMOS共源極放大電路）
4.7 多級放大電路
4.7.1 共源一共漏放大電路
4.7.2 共源一共柵放大電路
4.8 結(jié)型場效應管（JFET）及其放大電路
4.8.1 JFET的結(jié)構(gòu)和工作原理
4.8.2 JFET的特性曲線及參數(shù)
4.8.3 JFET放大電路的小信號模型分析法
4.9 砷化鎵金屬一半導體場效應管
4.1 0各種FET的特性及使用注意事項
4.1 1SPICE仿真例題
小結(jié)
習題
5 雙極結(jié)型三極管（BJT）及其放大電路
5.1 BJT
5.1.1 BJT的結(jié)構(gòu)簡介
5.1.2 放大狀態(tài)下BJT的工作原理
5.1.3 BJT的/-V特性曲線
5.1.4 BJT的主要參數(shù)
5.1.5 溫度對BJT參數(shù)及特性的影響
5.2 基本共射極放大電路
5.2.1 基本共射極放大電路的組成
5.2.2 基本共射極放大電路的工作原理
5.3 BJT放大電路的分析方法
5.3.1 BJT放大電路的圖解分析法
5.3.2 BJT放大電路的小信號模型分析法
5.4 BJT放大電路靜態(tài)工作點的穩(wěn)定問題
5.4.1 溫度對靜態(tài)工作點的影響
5.4.2 射極偏置電路
5.5 共集電極放大電路和共基極放大電路
5.5.1 共集電極放大電路
5.5.2 共基極放大電路
5.5.3 BJT放大電路三種組態(tài)的比較
5.6 FET和BJT及其基本放大電路性能的比較
5.6.1 FET和BJT重要特性的比較
5.6.2 FET和BJT放大電路性能的比較
5.7 多級放大電路
5.7.1 共射一共基放大電路
5.7.2 共集一共集放大電路
5.7.3 共源一共基放大電路
5.8 光電三極管
5.9 SPICE仿真例題
小結(jié)
習題
6 頻率響應
6.1 放大電路的頻率響應
6.2 單時間常數(shù)RC電路的頻率響應
……
7 模擬集成電路
8 反饋放大電路
9 功率放大電路
10 信號處理與信號產(chǎn)生電路
11 直流穩(wěn)壓電源
12 電子電路的計算機輔助分析與設計
附錄A PSpice/SPICE軟件簡介
附錄B 電路理論簡明復習
附錄C 電阻的彩色編碼和標稱阻值
參考文獻
索引（漢英對照）
部分習題答案
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