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本書是作者針對半導(dǎo)體芯片集成單元設(shè)計領(lǐng)域所撰寫的學(xué)術(shù)專著，是對作者在該領(lǐng)域科研學(xué)術(shù)成果的系統(tǒng)性論述。具體內(nèi)容包括對當(dāng)前主流以FinFET技術(shù)進(jìn)行改良的先進(jìn)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管集成技術(shù)、在開關(guān)特性上有質(zhì)的飛躍的隧道場效應(yīng)晶體管、利用高肖特基勢壘實現(xiàn)的隧道場效應(yīng)晶體管、可利用單個晶體管實現(xiàn)同或(異或非)邏輯且可實現(xiàn)導(dǎo)電類型切換的可重置晶體管、可以長久保持被重置導(dǎo)電類型的非易失可重置晶體管，以及結(jié)構(gòu)更為簡單、單個單元即可實現(xiàn)同或邏輯的可重置肖特基二極管、集成化的先進(jìn)傳感器件的設(shè)計等方面的研究。