免费人妻中文不卡无码_日本精品爽爽van在线_久久精品国产99久久丝袜蜜桃_女强人被春药精油按摩bd电影

本書(shū)圍繞阻變存儲(chǔ)器中的氧離子擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)展開(kāi)研究, 以阻變存儲(chǔ)器常用介質(zhì)層Ta2O5為主要研究對(duì)象, 采用密度泛函理論的第一性原理計(jì)算與實(shí)驗(yàn)研制相結(jié)合的方法, 研究氧原子擴(kuò)散勢(shì)壘對(duì)氧空位導(dǎo)電通道的調(diào)控機(jī)制, 分別用理論計(jì)算和實(shí)驗(yàn)探索Ta2O5中子半徑、離子電負(fù)性、氧空位之間相互作用對(duì)原子擴(kuò)散勢(shì)壘的調(diào)控規(guī)律。基于此規(guī)律, 實(shí)驗(yàn)制備相應(yīng)RRAM器件, 研究調(diào)控手段影響下的器件操作電壓、阻態(tài)穩(wěn)定性參數(shù), 獲取摻雜離子半徑、離子電負(fù)性、氧空位之間相互作用-擴(kuò)散勢(shì)壘-操作電壓、阻態(tài)穩(wěn)定性之間的關(guān)系, 進(jìn)一步得到原子擴(kuò)散勢(shì)壘-導(dǎo)電通道的關(guān)系, 明確擴(kuò)散勢(shì)壘對(duì)器件導(dǎo)電通道調(diào)控機(jī)制。