模擬CMOS集成電路系統(tǒng)化設(shè)計(jì)
定 價(jià)：99 元
叢書(shū)名：集成電路大師級(jí)系列
當(dāng)前圖書(shū)已被 56 所學(xué)校薦購(gòu)過(guò)！
查看明細(xì)
- 作者：[比]保羅·G.A.杰斯珀斯(Paul G. A. Jespers) [美]鮑里斯·默爾曼（Boris Murmann）
- 出版時(shí)間：2022/7/1
- ISBN：9787111707455
- 出 版 社：機(jī)械工業(yè)出版社
- 中圖法分類(lèi)：TN432.02
- 頁(yè)碼：284
- 紙張：
- 版次：
- 開(kāi)本：16
本書(shū)是一本實(shí)踐性指南，它給出一種納米尺度CMOS模擬電路集成電路設(shè)計(jì)的新方法，新方法具有高效的特性，且可對(duì)電路行為帶來(lái)深入洞察。
譯者序
符號(hào)與縮略語(yǔ)表
第1章緒論
1.1寫(xiě)作緣由
1.2模擬電路尺寸問(wèn)題和提出的方法
1.2.1平方律視角
1.2.2使用查詢(xún)表進(jìn)行權(quán)衡
1.2.3一般化
1.2.4VGS未知的設(shè)計(jì)
1.2.5弱反型下的設(shè)計(jì)
1.3內(nèi)容概述
1.4關(guān)于預(yù)備知識(shí)
1.5關(guān)于符號(hào)
1.6參考文獻(xiàn)
第2章基礎(chǔ)晶體管建模
2.1CSM
2.1.1CSM中的漏極電流方程
2.1.2漏極電流與漏極電壓的關(guān)系
2.1.3跨導(dǎo)效率gm/ID
2.2基礎(chǔ)EKV模型
2.2.1基礎(chǔ)EKV方程
2.2.2共源MOS晶體管的基礎(chǔ)EKV模型
2.2.3EKV模型的強(qiáng)、弱反型近似
2.2.4基礎(chǔ)EKV模型中g(shù)m和gm/ID的表達(dá)式
2.2.5從EKV模型中提取參數(shù)
2.3實(shí)際的晶體管
2.3.1實(shí)際漏極電流的特征ID(VGS) 和gm/ID
2.3.2實(shí)際晶體管的漏極飽和電壓VDsat
2.3.3偏置條件對(duì)EKV參數(shù)的影響
2.3.4漏極電流特性ID(VDS)
2.3.5輸出電導(dǎo)gds
2.3.6gds/ID之比
2.3.7本征增益
2.3.8MOSFET電容和特征頻率fT
2.4本章小結(jié)
2.5參考文獻(xiàn)
第3章使用gm/ID方法的基本尺寸設(shè)計(jì)
3.1本征增益級(jí)的尺寸設(shè)計(jì)
3.1.1電路分析
3.1.2設(shè)計(jì)尺寸時(shí)的考慮因素
3.1.3對(duì)于給定的gm/ID設(shè)計(jì)尺寸
3.1.4基本權(quán)衡探索
3.1.5在弱反型下設(shè)計(jì)尺寸
3.1.6使用漏極電流密度設(shè)計(jì)尺寸
3.1.7包含外部電容
3.2實(shí)際共源級(jí)
3.2.1有源負(fù)載
3.2.2電阻負(fù)載
3.3差分放大器級(jí)
3.4本章小結(jié)
3.5參考文獻(xiàn)
第4章噪聲、失真與失配
4.1電噪聲
4.1.1熱噪聲建模
4.1.2熱噪聲、增益帶寬與供電電流間的權(quán)衡
4.1.3來(lái)自有源負(fù)載的熱噪聲
4.1.4閃爍噪聲（1/f噪聲）
4.2非線性失真
4.2.1MOS跨導(dǎo)的非線性
4.2.2MOS差分對(duì)的非線性
4.2.3輸出電導(dǎo)
4.3隨機(jī)失配
4.3.1隨機(jī)失配建模
4.3.2失配在電流鏡中的影響
4.3.3失配在差分放大器中的影響
4.4本章小結(jié)
4.5參考文獻(xiàn)
第5章電路應(yīng)用實(shí)例Ⅰ
5.1恒定跨導(dǎo)偏置電路
5.2高擺幅級(jí)聯(lián)電流鏡
5.2.1調(diào)整電流鏡器件的大小
5.2.2對(duì)共源共柵偏置電路進(jìn)行尺寸設(shè)計(jì)
5.3低壓降穩(wěn)壓器
5.3.1低頻分析
5.3.2高頻分析
5.4射頻低噪聲放大器
5.4.1為低噪聲系數(shù)設(shè)計(jì)尺寸
5.4.2為低噪聲系數(shù)和低失真設(shè)計(jì)尺寸
5.5電荷放大器
5.5.1電路分析
5.5.2假定特征頻率恒定的優(yōu)化
5.5.3假定漏極電流恒定的優(yōu)化
5.5.4假定噪聲和帶寬恒定的優(yōu)化
5.6為工藝邊界進(jìn)行設(shè)計(jì)
5.61偏置的考慮
5.62對(duì)于工藝和溫度的工藝評(píng)估
5.63可能的設(shè)計(jì)流程
5.7本章小結(jié)
5.8參考文獻(xiàn)
第6章電路應(yīng)用實(shí)例Ⅱ
6.1開(kāi)關(guān)電容電路的基本OTA
6.1.1小信號(hào)電路分析
6.1.2假定噪聲和帶寬恒定的優(yōu)化
6.1.3考慮擺幅的優(yōu)化
6.2用于開(kāi)關(guān)電容電路的折疊式共源共柵OTA
6.2.1設(shè)計(jì)方程
6.2.2優(yōu)化流程
6.2.3存在壓擺時(shí)的優(yōu)化
6.3用于開(kāi)關(guān)電容電路的兩級(jí)OTA
6.3.1設(shè)計(jì)方程
6.3.2優(yōu)化流程
6.3.3存在壓擺時(shí)的優(yōu)化
6.4簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程
6.4.1折疊共源共柵OTA
6.4.2兩級(jí)OTA
6.5開(kāi)關(guān)尺寸調(diào)整
6.6本章小結(jié)
6.7參考文獻(xiàn)
附錄A EKV參數(shù)提取算法
附錄B 查詢(xún)表的生成與使用
附錄C 布局依賴(lài)
書(shū)單推薦
