碳納米管場(chǎng)發(fā)射顯示器可靠性設(shè)計(jì)
定 價(jià)：16 元
- 作者：曾凡光著
- 出版時(shí)間：2008/12/1
- ISBN：9787118058925
- 出 版 社：國(guó)防工業(yè)出版社
- 中圖法分類：TN873
- 頁(yè)碼：10,162頁(yè)
- 紙張：膠版紙
- 版次：1
- 開(kāi)本：大32開(kāi)
本書詳細(xì)介紹了碳納米管場(chǎng)發(fā)射陰極的制備技術(shù)、碳納米管場(chǎng)發(fā)射顯示器制造工藝及其可靠性，并介紹了碳納米管薄膜場(chǎng)發(fā)射過(guò)程的電子輸運(yùn)工程，給出了碳納米管場(chǎng)發(fā)射顯示器的理論解釋。
第1章 緒論
1.1 真空微電子學(xué)的產(chǎn)生與發(fā)展
1.1.1 真空微電子學(xué)產(chǎn)生的背景
1.1.2 真空微電子學(xué)的發(fā)展歷程
1.2 T-FED的研究現(xiàn)狀及存在的主要問(wèn)題
1.2.1 T-FED的研究現(xiàn)狀
1.2.2 T-FED面臨的主要問(wèn)題及應(yīng)對(duì)策略
1.3 T-FED的發(fā)展前景
1.4 本書的選題及寫作結(jié)構(gòu)
1.4.1 選題的背景
1.4.2 內(nèi)容結(jié)構(gòu)
小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第2章 碳納米管及其場(chǎng)發(fā)射陰極的制備方法
2.1 引言
2.2 T的基本性質(zhì)
2.3 T的制備方法
2.3.1 電弧法
2.3.2 激光蒸發(fā)法
2.3.3 化學(xué)氣相沉積法（CVD法）
2.3.4 火焰法
2.4 T的可控生長(zhǎng)——用于T場(chǎng)發(fā)射陰極的制備工藝
2.4.1 T生長(zhǎng)形態(tài)的控制
2.4.2 T生長(zhǎng)方向的控制
2.4.3 T生長(zhǎng)區(qū)域的控制
2.4.4 T在玻璃襯底上的低溫生長(zhǎng)
2.5 T場(chǎng)發(fā)射陰極陣列的移植法制備工藝
小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章 移植法制備場(chǎng)發(fā)射陰極薄膜工藝
3.1 引言
3.2 T絲網(wǎng)印刷漿料的配制
3.2.1 T原料的純化
3.2.2 T的分散
3.2.3 制漿劑的加入與溶解
3.3 印刷T薄膜的制備
3.4 印刷T薄膜的場(chǎng)發(fā)射特性
3.4.1 印刷T薄膜的I-V特性
3.4.2 印刷T薄膜場(chǎng)發(fā)射條件下的發(fā)光情況
3.4.3 印刷T薄膜的場(chǎng)發(fā)射電流穩(wěn)定性
3.4.4 不同T含量對(duì)場(chǎng)發(fā)射特性的影響
3.5 印刷T薄膜后處理工藝研究
3.5.1 膠帶處理方法
3.5.2 等離子體處理
3.5.3 機(jī)械破碎與氣流清理方法
3.5.4 印刷T薄膜場(chǎng)發(fā)射均勻性的提高
3.6 印刷T薄膜場(chǎng)發(fā)射特性改進(jìn)的機(jī)理
3.6.1 影響印刷T薄膜場(chǎng)發(fā)射特性的原因
3.6.2 發(fā)光均勻性提高的原因
3.7 關(guān)于印刷T薄膜的幾個(gè)問(wèn)題的討論
小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 印刷碳納米管薄膜場(chǎng)發(fā)射過(guò)程中的電子輸運(yùn)
4.1 金屬自由電子氣體模型
4.2 金屬的表面勢(shì)壘和逸出功
4.3 場(chǎng)致發(fā)射現(xiàn)象及其基本規(guī)律
4.3.1 場(chǎng)致電子發(fā)射現(xiàn)象
4.3.2 場(chǎng)致電子發(fā)射的Fowler-Nordheim理論
4.3.3 場(chǎng)發(fā)射冷陰極的應(yīng)用研究
4.3.4 關(guān)于T薄膜場(chǎng)發(fā)射特性的討論
4.4 印刷T薄膜的電子輸運(yùn)模型
4.4.1 印刷T薄膜中電子對(duì)絕緣層的隧穿
4.4.2 后處理的作用
小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 碳納米管場(chǎng)發(fā)射顯示器的制造工藝
5.1 碳納米管場(chǎng)發(fā)射顯示器制造技術(shù)現(xiàn)狀
5.2 T-FED的結(jié)構(gòu)與原理
5.2.1 二極T-FED的結(jié)構(gòu)與原理
5.2.2 三極T-FED的結(jié)構(gòu)與原理
5.3 T-FED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
5.3.1 器件結(jié)構(gòu)及制造工藝
5.3.2 T-FED的設(shè)計(jì)參數(shù)
5.4 T-FED制造工藝流程
5.4.1 準(zhǔn)備過(guò)程
5.4.2 工藝過(guò)程
5.4.3 關(guān)于制造工藝的幾點(diǎn)討論
5.5 低成本高效率的ITO透明電極制造新工藝
5.6 全印刷cNT-FED器件的工作情況
5.7 器件測(cè)試
5.7.1 測(cè)試結(jié)果摘要
5.7.2 測(cè)試方法說(shuō)明
小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章 全印刷碳納米管場(chǎng)發(fā)射顯示器可靠性技術(shù)
6.1 引言
6.2 普通全印刷T器件的穩(wěn)定性問(wèn)題
6.2.1 早期器件的衰減特點(diǎn)
6.2.2 脫附氣體分子數(shù)量對(duì)器件內(nèi)部真空度的影響
6.3 減少吸附氣體分子數(shù)量對(duì)發(fā)光穩(wěn)定性的提高
6.3.1 器件在封裝過(guò)程中的烘烤除氣
6.3.2 真空封裝過(guò)程的烘烤除氣對(duì)器件發(fā)光穩(wěn)定性的影響
6.4 影響穩(wěn)定性的另一重要因素——T與襯底間的接觸
6.4.1 T與襯底歐姆接觸對(duì)場(chǎng)發(fā)射穩(wěn)定性的影響
6.4.2 機(jī)理分析
6.4.3 共燒結(jié)工藝討論
6.5 印刷T薄膜失效原因分析
6.5.1 T在高電流及真空電弧條件下的消耗
6.5.2 襯底的損壞
6.5.3 老練對(duì)真空擊穿的預(yù)防作用
小結(jié)
參考文獻(xiàn)
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