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叢書(shū)名：高等學(xué)校計(jì)算機(jī)基礎(chǔ)教育教材精選
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- 作者：陳星弼
- 出版時(shí)間：2018/1/1
- ISBN：9787121342677
- 出 版 社：電子工業(yè)出版社
- 中圖法分類：TN4
- 頁(yè)碼：348
- 紙張：
- 版次：01
- 開(kāi)本：16開(kāi)
本書(shū)為普通高等教育“十一五”、“十二五”國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材。本書(shū)首先介紹半導(dǎo)體器件基本方程。在此基礎(chǔ)上，全面系統(tǒng)地介紹PN結(jié)二極管、雙極結(jié)型晶體管（BJT）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的基本結(jié)構(gòu)、基本原理、工作特性和SPICE模型。本書(shū)還介紹了主要包括HEMT和HBT的異質(zhì)結(jié)器件。書(shū)中提供大量習(xí)題，便于讀者鞏固及加深對(duì)所學(xué)知識(shí)的理解。本書(shū)適合作為高等學(xué)校電子科學(xué)與技術(shù)、集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)、微電子學(xué)等專業(yè)相關(guān)課程的教材，也可供其他相關(guān)專業(yè)的本科生、研究生和工程技術(shù)人員閱讀參考。
陳星弼，電子科技大學(xué)，教授，博士生導(dǎo)師，中國(guó)科學(xué)院院士，主編的《微電子器件》教材，為普通高等教育“十一五”、“十二五”國(guó)家級(jí)規(guī)劃教材。
第1章半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)及基本方程
11半導(dǎo)體晶格
111基本的晶體結(jié)構(gòu)
112晶向和晶面
113原子價(jià)鍵
12半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
121原子的能級(jí)和晶體的能帶
122半導(dǎo)體中電子的狀態(tài)和能帶
123半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)和有效質(zhì)量
124導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體
13平衡狀態(tài)下載流子濃度
131費(fèi)米能級(jí)和載流子的統(tǒng)計(jì)分布
132本征載流子濃度
133雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
134簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的載流子濃度
14非平衡載流子
141非平衡載流子的注入與復(fù)合過(guò)程
142非平衡載流子的壽命
143復(fù)合理論
15載流子的輸運(yùn)現(xiàn)象
151載流子的漂移運(yùn)動(dòng)及遷移率
152載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)
153愛(ài)因斯坦關(guān)系
16半導(dǎo)體器件基本方程
161泊松方程
162輸運(yùn)方程
163連續(xù)性方程
164方程的積分形式
165基本方程的簡(jiǎn)化與應(yīng)用舉例
本章參考文獻(xiàn)
第2章PN結(jié)
21PN結(jié)的平衡狀態(tài)
211空間電荷區(qū)的形成
212內(nèi)建電場(chǎng)、內(nèi)建電勢(shì)與耗盡區(qū)寬度
213能帶圖
214線性緩變結(jié)
215耗盡近似和中性近似的適用性
22PN結(jié)的直流電流電壓方程
221外加電壓時(shí)載流子的運(yùn)動(dòng)情況
222勢(shì)壘區(qū)兩旁載流子濃度的玻耳茲曼分布
223擴(kuò)散電流
224勢(shì)壘區(qū)產(chǎn)生復(fù)合電流
225正向?qū)妷?226薄基區(qū)二極管
23準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)與大注入效應(yīng)
231自由能與費(fèi)米能級(jí)
232準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)
233大注入效應(yīng)
24PN結(jié)的擊穿
241碰撞電離率和雪崩倍增因子
242雪崩擊穿
243齊納擊穿
244熱擊穿
25PN結(jié)的勢(shì)壘電容
251勢(shì)壘電容的定義
252突變結(jié)的勢(shì)壘電容
253線性緩變結(jié)的勢(shì)壘電容
254實(shí)際擴(kuò)散結(jié)的勢(shì)壘電容
26PN結(jié)的交流小信號(hào)特性與擴(kuò)散電容
261交流小信號(hào)下的擴(kuò)散電流
262交流導(dǎo)納與擴(kuò)散電容
263二極管的交流小信號(hào)等效電路
27PN結(jié)的開(kāi)關(guān)特性
271PN結(jié)的直流開(kāi)關(guān)特性
272PN結(jié)的瞬態(tài)開(kāi)關(guān)特性
273反向恢復(fù)過(guò)程
274存儲(chǔ)時(shí)間與下降時(shí)間
28SPICE中的二極管模型
習(xí)題二
本章參考文獻(xiàn)
第3章雙極結(jié)型晶體管
31雙極結(jié)型晶體管基礎(chǔ)
311雙極結(jié)型晶體管的結(jié)構(gòu)
312偏壓與工作狀態(tài)
313少子濃度分布與能帶圖
314晶體管的放大作用
32均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)
321基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)
322基區(qū)渡越時(shí)間
323發(fā)射結(jié)注入效率
324電流放大系數(shù)
33緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)
331基區(qū)內(nèi)建電場(chǎng)的形成
332基區(qū)少子電流密度與基區(qū)少子濃度分布
333基區(qū)渡越時(shí)間與輸運(yùn)系數(shù)
334注入效率與電流放大系數(shù)
335小電流時(shí)放大系數(shù)的下降
336發(fā)射區(qū)重?fù)诫s的影響
337異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管
34雙極結(jié)型晶體管的直流電流電壓方程
341集電結(jié)短路時(shí)的電流
342發(fā)射結(jié)短路時(shí)的電流
343晶體管的直流電流電壓方程
344晶體管的輸出特性
345基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)
35雙極結(jié)型晶體管的反向特性
351反向截止電流
352共基極接法中的雪崩擊穿電壓
353共發(fā)射極接法中的雪崩擊穿電壓
354發(fā)射極與基極間接有外電路時(shí)的反向電流與擊穿電壓
355發(fā)射結(jié)擊穿電壓
356基區(qū)穿通效應(yīng)
36基極電阻
361方塊電阻
362基極接觸電阻和接觸孔邊緣到工作基區(qū)邊緣的電阻
363工作基區(qū)的電阻和基極接觸區(qū)下的電阻
37雙極結(jié)型晶體管的功率特性
371大注入效應(yīng)
372基區(qū)擴(kuò)展效應(yīng)
373發(fā)射結(jié)電流集邊效應(yīng)
374晶體管的熱學(xué)性質(zhì)
375二次擊穿和安全工作區(qū)
38電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系
381高頻小信號(hào)電流在晶體管中的變化
382基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)與頻率的關(guān)系
383高頻小信號(hào)電流放大系數(shù)
384晶體管的特征頻率
385影響高頻電流放大系數(shù)與特征頻率的其他因素
39高頻小信號(hào)電流電壓方程與等效電路
391小信號(hào)的電荷控制模型
392小信號(hào)的電荷電壓關(guān)系
393高頻小信號(hào)電流電壓方程
394小信號(hào)等效電路
310功率增益和最高振蕩頻率
3101高頻功率增益與高頻優(yōu)值
3102最高振蕩頻率
3103高頻晶體管的結(jié)構(gòu)
311雙極結(jié)型晶體管的開(kāi)關(guān)特性
3111晶體管的靜態(tài)大信號(hào)特性
3112晶體管的直流開(kāi)關(guān)特性
3113晶體管的瞬態(tài)開(kāi)關(guān)特性
312SPICE中的雙極晶體管模型
3121埃伯斯-莫爾(EM)模型
3122葛謀-潘(GP)模型
習(xí)題三
本章參考文獻(xiàn)
第4章絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
41MOSFET基礎(chǔ)
42MOSFET的閾電壓
421MOS結(jié)構(gòu)的閾電壓
422MOSFET的閾電壓
43MOSFET的直流電流電壓方程
431非飽和區(qū)直流電流電壓方程
432飽和區(qū)的特性
44MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電
45MOSFET的直流參數(shù)與溫度特性
451MOSFET的直流參數(shù)
452MOSFET的溫度特性
453MOSFET的擊穿電壓
46MOSFET的小信號(hào)參數(shù)、高頻等效電路及頻率特性
461MOSFET的小信號(hào)交流參數(shù)
462MOSFET的小信號(hào)高頻等效電路
463最高工作頻率和最高振蕩頻率
464溝道渡越時(shí)間
47短溝道效應(yīng)
471小尺寸效應(yīng)
472遷移率調(diào)制效應(yīng)
473漏誘生勢(shì)壘降低效應(yīng)
474強(qiáng)電場(chǎng)效應(yīng)
475表面勢(shì)和閾值電壓準(zhǔn)二維分析
48體硅MOSFET的發(fā)展方向
481按比例縮小的MOSFET
482雙擴(kuò)散MOSFET
483深亞微米MOSFET
484應(yīng)變硅MOSFET
485高K柵介質(zhì)及金屬柵電極MOSFET
49功率垂直型雙擴(kuò)散場(chǎng)效應(yīng)晶體管
491VDMOS器件
492超結(jié)VDMOS器件
493常規(guī)VDMOS與超結(jié)VDMOS器件的電流電壓關(guān)系的比較
410SOI MOSFET
4101SOI MOSFET結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
4102SOI MOSFET一維閾值電壓模型
4103SOI MOSFET的電流特性
4104SOI MOSFET的亞閾值斜率
4105短溝道SOI MOSFET的準(zhǔn)二維分析
411多柵結(jié)構(gòu)MOSFET與FINFET
4111多柵MOSFET結(jié)構(gòu)
4112多柵結(jié)構(gòu)MOSFET的特征長(zhǎng)度
4113雙柵FINFET的亞閾值斜率
4114雙柵FINFET的按比例縮小
4115多柵FINFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
412無(wú)結(jié)晶體管
4121無(wú)結(jié)晶體管的工作原理
4122無(wú)結(jié)晶體管的閾值電壓
4123無(wú)結(jié)晶體管的直流電流電壓關(guān)系
4124無(wú)結(jié)晶體管的溫度特性
413SPICE中的MOSFET模型
4131MOS1模型
4132MOS2模型
4133MOS3模型
4134電容模型
4135小信號(hào)模型
4136串聯(lián)電阻的影響
習(xí)題四
本章參考文獻(xiàn)
第5章半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)器件
51半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)
511半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的能帶突變
512半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)伏安特性
52高電子遷移率晶體管(HEMT)
521高電子遷移率晶體管的基本結(jié)構(gòu)
522HEMT的工作原理
523異質(zhì)結(jié)界面的二維電子氣
524高電子遷移率晶體管(HEMT)的直流特性
525HEMT的高頻模型
526HEMT的高頻小信號(hào)等效電路
527高電子遷移率晶體管(HEMT)的頻率特性
53異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)
531HBT的基礎(chǔ)理論
532能帶結(jié)構(gòu)與HBT性能的關(guān)系
533異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的特性
534Si/Si1-xGex異質(zhì)結(jié)雙極晶體管
習(xí)題五
本章參考文獻(xiàn)
書(shū)單推薦
