III-V氮化物納米材料的制備及性能研究
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Ⅲ-Ⅴ氮化物屬于第三代半導體,具有獨特的性能及應用領域,現(xiàn)在得以廣泛應用的藍光LED就是以氮化鎵為基材制備出來的。本書內容主要是Ⅲ-Ⅴ氮化物納米材料的研究,包括零維量子點的制備及性能,一維納米材料的制備及性能,納米陣列的制備及性能,以及對于Ⅲ-Ⅴ氮化物的理論模擬研究等。
本書對于從事Ⅲ-Ⅴ氮化物納米材料研究的學者具有一定的參考作用。
目錄
第1章 Ⅲ-Ⅴ氮化物半導體材料簡介
第2章 氣相反應制備GaN納米線的催化效應
第3章 GaN納米帶和納米帶環(huán)的生長與形成機理
第4章 碳熱輔助法控制生長GaN低維結構
第5章 定向排列的孿晶GaN納米線的制備與表征
第6章 GaN納米柱陣列的制備及表征
第7章 Fe、Co摻雜GaN納米線的制備及性能研究
第8章 GaN及其稀磁半導體納米晶的制備與性能研究
第9章 GaN納米晶體及其復合材料的制備及性能
第10章 GaN的理論模擬研究
第11章 AIN納米結構的可控制備與表征
第12章 單晶InN納米線的制備及表征
第13章 InN及其稀磁半導體納米晶的制備與性能研究
參考文獻
名詞索引