納米半導體具有常規(guī)半導體無法媲美的奇異特性和非凡的特殊功能，在信息、能源、環(huán)境、傳感器、生物等諸多領域具有空前的應用前景，成為新興納米產(chǎn)業(yè)，如納米信息產(chǎn)業(yè)、納米環(huán)保產(chǎn)業(yè)、納米能源產(chǎn)業(yè)、納米傳感器以及納米生物技術產(chǎn)業(yè)等高速發(fā)展的源泉與動力�！都{米半導體材料與器件》力求以最新內(nèi)容，全面、系統(tǒng)闡述納米半導體特殊性能及其在信息
楊樹人、王宗昌、王兢編寫的這本《半導體材料(第3版)》是為大學本科與半導體相關的專業(yè)編寫的教材，介紹了主要半導體材料硅、砷化鎵等制備的基本原理和工藝，以及特性的控制等。全書共13章：第1章為硅和鍺的化學制備；第2章為區(qū)熔提純；第3章為晶體生長；第4章為硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷；第5章為硅外延生長；第6章為Ⅲ-Ⅴ族化合物
《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》以作者多年的研究成果為基礎，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件的物理特性和實現(xiàn)方法，重點介紹了半導體高電子遷移率晶體管（HEMT）與相關氮化物材料。全書共14章，內(nèi)容包括：氮化物材料的基本性質(zhì)、異質(zhì)外延方法和機理，HEMT材料的電學性質(zhì)，AlGaN/GaN和InAlN/
《現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝缺陷及典型故障100例》是新出版不久的《現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝可靠性》一書的補充和姊妹篇。已出版的《現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝可靠性》為從事電子制造和用戶服務等行業(yè)的工程師提供了解決電子裝聯(lián)工藝缺陷及故障形成機理方面問題的技術基礎。而本書則是一本可供他們參考的典型案例積累，并告訴讀者如何通過分析和歸納采取正確的解決措
本書主要以異質(zhì)結雙晶體管、高電子遷移率晶體管、共振遂穿電子器件、單電子輸運器件、量子結構激光器、量子結構紅外探測器和量子結構太陽電池為主,比較系統(tǒng)地分析與討論了它們的工作原理與器件特性,并對自旋電子器件、單分子器件和量子計算機等內(nèi)容進行了簡單介紹。
電子產(chǎn)品的工藝可靠性問題，存在于產(chǎn)品在工廠生產(chǎn)和市場服役的全過程�！冬F(xiàn)代電子機械工程叢書·“十二五”國家重點出版規(guī)劃精品項目：現(xiàn)代電子裝聯(lián)工藝可靠性》的作者從事電子裝聯(lián)工藝及其裝備等技術研究整50年，深感電子制造中的工藝可靠性問題，隨著微組裝和微焊接技術應用的日趨廣泛和深入而愈顯突出。因此，加強電子裝聯(lián)工藝工程師們對工
《集成電路中的現(xiàn)代半導體器件（英文版）》主要介紹與集成電路相關的主流半導體器件的基本原理，包括PN結二極管、MOSFET器件和雙極型晶體管（BJT），同時介紹了與這些半導體器件相關的集成工藝制造技術�！都呻娐分械默F(xiàn)代半導體器件（英文版）》作者是美國工程院院士、中國科學院外籍院士，多年從事半導體器件與集成電路領域的前沿
《整機裝聯(lián)工藝與技術》就電子裝聯(lián)所用焊料、助焊劑、線材、絕緣材料的特性及使用和選型，針對工藝技術的要求做了較為詳細的介紹。尤其對常常困擾電路設計和工藝人員的射頻同軸電纜導線的使用問題更有全面的分析。在手工焊接、相關電磁兼容性的整機接地與布線處理、工藝文件的編制等方面，有理論知識、有技巧、有案例分析，具有可操作性。值得提
《有機電子學》從有機電子學的角度，深入淺出地概括總結了有機電子材料中的電子結構與過程，并以此解釋了有機固體凝聚態(tài)的各種性質(zhì)。這些性質(zhì)對實際應用中的有機光電器件的行為起決定性的作用。基于對理論的理解，《有機電子學》緊接著介紹了有機材料性質(zhì)的測試表征手段以及有機薄膜的制備手段。同時將理論與實踐相結合，書中相繼介紹和討論了有
《半導體器件原理簡明教程》力圖用最簡明、準確的語言，介紹典型半導體器件的核心知識，主要包括半導體物理基礎、pn結、雙極型晶體管、場效應晶體管、金屬-半導體接觸和異質(zhì)結、半導體光電子器件�！栋雽w器件原理簡明教程》在闡明基本結構和工作原理的基礎上，還介紹了微電子領域的一些新技術，如應變異質(zhì)結、能帶工程、量子阱激光器等�！�
《半導體器件物理學習與考研指導》是普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材《半導體器件物理（第二版）》（孟慶巨、劉海波、孟慶輝等編著）的配套教學輔導資料。全書共分為11章，內(nèi)容包括：半導體物理基礎、PN結、雙極結型晶體管、金屬一半導體結、結型場效應晶體管和金屬一半導體場效應晶體管、金屬一氧化物一半導體場效應晶體管、電荷轉移
孟慶巨、劉海波、孟慶輝編著的《半導體器件物理》是普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材。本書介紹了常用半導體器件的基本結構、工作原理、主要性能和基本工藝技術。全書內(nèi)容包括：半導體物理基礎、PN結、雙極結型晶體管、金屬-半導體結、結型場效應晶體管和金屬-半導體場效應晶體管、金屬-氧化物-半導體場效應晶體管、電荷轉移器
本書的主要內(nèi)容包括：高分辨X射線衍射，光學性質(zhì)檢測分析，表面和薄膜成分分析，掃描探針顯微學在半導體中的運用，透射電子顯微學及其在半導體研究中的應用，半導體深中心的表征。以上內(nèi)容包括了目前半導體材料（第三代半導體和低維結構半導體材料）物理表征的實驗技術和具體應用成果。限于篇幅，不能面面俱到，所以有些實驗技術，如LEED，
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