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本書(shū)以集成電路領(lǐng)域中的等離子體刻蝕為切入點(diǎn)，介紹了等離子體基礎(chǔ)知識(shí)、基于等離子體的刻蝕技術(shù)、等離子體刻蝕設(shè)備及其在集成電路中的應(yīng)用。全書(shū)共8章，內(nèi)容包括集成電路簡(jiǎn)介、等離子體基本原理、集成電路制造中的等離子體刻蝕工藝、集成電路封裝中的等離子體刻蝕工藝、等離子體刻蝕機(jī)、等離子體測(cè)試和表征、等離子體仿真、顆粒控制和量產(chǎn)。本

本書(shū)采用通俗易懂的語(yǔ)言、圖文并茂的形式，詳細(xì)講解了智能制造SMT設(shè)備操作與維護(hù)的相關(guān)知識(shí)，覆蓋了SMT生產(chǎn)線(xiàn)常用的設(shè)備，主要包括上板機(jī)、印刷機(jī)、SPI設(shè)備、雙軌平移機(jī)、貼片機(jī)、AOI設(shè)備、緩存機(jī)、回流焊、X-ray激光檢測(cè)儀、AGV機(jī)器人、傳感器、烤箱、電橋等，還對(duì)SMT生產(chǎn)線(xiàn)的運(yùn)行管理做了介紹。本書(shū)內(nèi)容豐富實(shí)用，講解

薄膜晶體管（TFT）是一種金屬-絕緣層-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，迄今已經(jīng)歷了60年的發(fā)展，在原理與技術(shù)方面的創(chuàng)新層出不窮�！侗∧ぞ�體管原理與技術(shù)》首先概述TFT的物理基礎(chǔ)及典型薄膜工藝原理；接著以氫化非晶硅、低溫多晶硅、金屬氧化物和有機(jī)TFT為主，系統(tǒng)介紹TFT相關(guān)的材料、器件及制備技術(shù)；再以有源驅(qū)動(dòng)液晶顯示和有機(jī)發(fā)光顯示兩種

本書(shū)聚焦電致變色，系統(tǒng)地總結(jié)了有機(jī)電致變色研究領(lǐng)域的最新研究成果。全書(shū)內(nèi)容涵蓋有機(jī)電致變色的發(fā)展歷程、器件結(jié)構(gòu)與原理、器件性能與測(cè)試、材料類(lèi)型、多功能器件及電致變色器件的應(yīng)用與展望等，對(duì)于全面了解電致變色材料領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展具有重要作用。本書(shū)具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：1）介紹了不同的電致變色材料與器件研究方面的發(fā)展情況和最新

量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）是顯示領(lǐng)域的一種新型材料，因其具有發(fā)光效率高、可溶解加工、色域廣、制造成本低、響應(yīng)速度快等優(yōu)勢(shì)，備受科研人員關(guān)注，有望在商業(yè)上獲得廣泛應(yīng)用。本書(shū)旨在向讀者介紹近年來(lái)國(guó)內(nèi)外膠體量子點(diǎn)發(fā)光材料與器件的進(jìn)展，全面總結(jié)膠體量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件中各功能層關(guān)鍵材料和器件的設(shè)計(jì)及優(yōu)化方案，探討材料性能、器

本書(shū)基于作者在薄膜晶體管液晶顯示器領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)實(shí)踐與理解，并結(jié)合液晶顯示技術(shù)的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)，首先介紹了光的偏振性及液晶基本特點(diǎn)，然后依次介紹了主流的廣視角液晶顯示技術(shù)的光學(xué)特點(diǎn)與補(bǔ)償技術(shù)、薄膜晶體管器件的SPICE模型、液晶取向技術(shù)、液晶面板與電路驅(qū)動(dòng)的常見(jiàn)不良與解析，最后介紹了新興的低藍(lán)光顯示技術(shù)、電競(jìng)顯示技術(shù)、量子點(diǎn)

本書(shū)面向世界科技前沿和國(guó)家重大需求，針對(duì)高效率Ⅲ族氮化物L(fēng)ED芯片設(shè)計(jì)和制造的關(guān)鍵問(wèn)題，基于作者在III族氮化物L(fēng)ED外延生長(zhǎng)和芯片制造領(lǐng)域十余年的研究基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，融入國(guó)內(nèi)外同行在這一領(lǐng)域的研究成果，從藍(lán)光/綠光/紫外LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與材料生長(zhǎng)、水平結(jié)構(gòu)/倒裝結(jié)構(gòu)/垂直結(jié)構(gòu)/高壓LED芯片設(shè)計(jì)與制造工藝、LED

主要內(nèi)容共6章，包括：緒論、壓接型IGBT器件失效模擬與可靠性評(píng)估、金屬化膜電容器失效模擬與可靠性評(píng)估、采用關(guān)鍵部件故障率模型的換流閥可靠性評(píng)估模型、采用關(guān)鍵部件物理場(chǎng)失效模擬的換流閥可靠性評(píng)估模型、換流閥可靠性評(píng)估軟件。全書(shū)以壓接型IGBT器件、金屬化膜電容器等柔直換流閥核心部件可靠性分析為基礎(chǔ)，系統(tǒng)闡述了柔性直流換

本書(shū)系統(tǒng)全面地闡述了真空鍍膜技術(shù)的基本理論知識(shí)體系以及各種真空鍍膜方法、設(shè)備及工藝。對(duì)最新的薄膜類(lèi)型、性能檢測(cè)及評(píng)價(jià)、真空鍍膜技術(shù)及裝備等內(nèi)容也進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，如金剛石薄膜的應(yīng)用及大面積制備技術(shù)、工藝、性能評(píng)價(jià)等。本書(shū)敘述深入淺出，內(nèi)容豐富而精煉，工程實(shí)踐性強(qiáng)，在強(qiáng)化理論的同時(shí)，重點(diǎn)突出了工程應(yīng)用，具有很強(qiáng)的實(shí)用性，

功率半導(dǎo)體器件廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、通信、計(jì)算機(jī)、汽車(chē)電子等領(lǐng)域，目前也逐漸應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。本書(shū)著重闡述功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、仿真技術(shù)、封裝材料應(yīng)用，以及可靠性試驗(yàn)與失效分析等方面的內(nèi)容。本書(shū)共10章，主要內(nèi)容包括功率半導(dǎo)體封裝概述、功率半導(dǎo)體封裝設(shè)計(jì)、功率半導(dǎo)體

《芯片用硅晶片的加工技術(shù)》由淺入深地介紹了半導(dǎo)體硅及集成電路的有關(guān)知識(shí)，并著重對(duì)滿(mǎn)足納米集成電路用優(yōu)質(zhì)大直徑300mm硅單晶拋光片和太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)用晶體硅太陽(yáng)電池晶片的制備工藝、技術(shù)，以及對(duì)生產(chǎn)工藝廠房的設(shè)計(jì)要求進(jìn)行了全面系統(tǒng)的論述。書(shū)中附有大量插圖、表格等技術(shù)資料，可供致力于半導(dǎo)體硅材料工作的科技人員、企業(yè)管理人員和

本書(shū)從LED芯片制作、LED封裝和LED應(yīng)用等方面介紹了LED的基本概念與相關(guān)技術(shù)，詳細(xì)講解了LED封裝過(guò)程中和開(kāi)發(fā)應(yīng)用產(chǎn)品時(shí)應(yīng)該注意的一些技術(shù)問(wèn)題，并以引腳式LED封裝為基礎(chǔ)，進(jìn)一步介紹了平面發(fā)光式、SMD、大功率LED的三種不同封裝形式及其相應(yīng)的產(chǎn)品在實(shí)際生產(chǎn)中的操作技術(shù)。本書(shū)還討論了LED在不同領(lǐng)域的應(yīng)用技術(shù)，最

本書(shū)首先簡(jiǎn)要介紹低維異質(zhì)半導(dǎo)體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長(zhǎng)兩種基本的低維半導(dǎo)體材料制備方法，簡(jiǎn)要說(shuō)明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)過(guò)程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的角度詳細(xì)闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)機(jī)理及其相關(guān)理論，重點(diǎn)討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長(zhǎng)理論和硅鍺低

表面組裝技術(shù)（SMT）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預(yù)先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通過(guò)焊接形成可靠的焊點(diǎn)，建立長(zhǎng)期的機(jī)械和電氣連接的組裝技術(shù)。本書(shū)以表面組裝技術(shù)（SMT）生產(chǎn)過(guò)程為主線(xiàn)，詳細(xì)介紹了電子產(chǎn)品的表面組裝技術(shù)，主要內(nèi)容包括表面組裝技術(shù)概述、表面組裝材料、表面涂敷、貼片、焊接、清洗、檢測(cè)與返修等，其

光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿(mǎn)足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書(shū)系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國(guó)際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技

光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿(mǎn)足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書(shū)系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國(guó)際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技

本書(shū)主要介紹廣泛存在的各種輻射對(duì)納米CMOS器件及其電路的影響，涵蓋了各種輻射環(huán)境分析、電離損傷機(jī)理研究、納米器件的總劑量效應(yīng)和單粒子效應(yīng)的建模仿真、輻射效應(yīng)對(duì)納米電路的影響及輻照實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)等，綜合考慮器件特征尺寸縮減對(duì)輻射效應(yīng)的影響，從器件、電路角度建模分析，給出了納電子器件及其電路的輻射效應(yīng)的分析方法和思路。本書(shū)對(duì)高

寬禁帶半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)異性質(zhì)，不僅在制備短波長(zhǎng)光電子器件方面具有不可替代性，而且是制備高功率、高頻、高溫射頻電子器件和功率電子器件的**選半導(dǎo)體體系，在信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國(guó)防軍工等領(lǐng)域具有重大應(yīng)用價(jià)值。本書(shū)系統(tǒng)介紹了Ⅲ族氮化物、SiC、金剛石和Ga2O

全書(shū)共分6章，著重介紹了PCB熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)、元器件封裝的熱特性與PCB熱設(shè)計(jì)、高導(dǎo)熱PCB的熱特性、PCB散熱通孔（過(guò)孔）設(shè)計(jì)、PCB熱設(shè)計(jì)示例，以及PCB用散熱器。本書(shū)內(nèi)容豐富，敘述詳盡清晰，圖文并茂，通過(guò)大量的設(shè)計(jì)示例說(shuō)明PCB熱設(shè)計(jì)中的一些技巧與方法及應(yīng)該注意的問(wèn)題，實(shí)用性強(qiáng)。

本書(shū)從OLED基本理論、OLED基礎(chǔ)知識(shí)、OLED功能材料、OLED驅(qū)動(dòng)技術(shù)、OLED顯示與照明技術(shù)、OLED封裝技術(shù)、其他OLED相關(guān)技術(shù)、OLED產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)和OLED市場(chǎng)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)九大方面，深入淺出地對(duì)OLED基礎(chǔ)知識(shí)和產(chǎn)業(yè)化相關(guān)技術(shù)進(jìn)行了較為詳細(xì)的闡述。 本書(shū)涉及的內(nèi)容有很強(qiáng)的理論性和實(shí)踐性，在保證有