硅基半導體應變技術是21世紀延續(xù)摩爾定律的關鍵技術之一。根據(jù)IRDS(國際設備和系統(tǒng)路線圖)對DRAM技術發(fā)展趨勢的預測,在今后很長一段時間內(nèi),硅基半導體應變技術仍然是提升半導體器件與電路遷移率和高場傳輸特性的可持續(xù)改進關鍵技術。 本書共分為9章,主要內(nèi)容包括硅基半導體應變理論與技術、硅基半導體應變能帶理論與空間群、應
近年來，半導體光催化技術在環(huán)境凈化、CO2還原及有機合成化學等領域發(fā)揮了重要作用，利用光生電子及半導體表面結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)特定的氧化還原反應。本書不僅重點分類闡述半導體光催化前沿研究方向，而且重視半導體基礎物理、化學及表面結(jié)構(gòu)等基礎內(nèi)容。本書前3章重點介紹了半導體物理、化學及表面結(jié)構(gòu)的基礎內(nèi)容，這些為從基礎物理和化學的角度
半導體行業(yè)現(xiàn)在是世界上最大、最有價值的行業(yè)之一，與我們的生活、工作和學習密切相關。這本書是為非專業(yè)人士提供的科技指南，介紹與半導體有關的各種基礎知識，包括物理、材料和電路，分立元件和集成電路系統(tǒng)、應用和市場，以及半導體的歷史、現(xiàn)狀和未來。這本書適合所有對半導體感興趣的讀者。中學生完全可以讀懂這本書，專業(yè)人士也可以從中了
本書是一本半導體科普書，介紹了半導體的相關知識。在開始學習之前，通過序章，首先介紹半導體有什么了不起之處、半導體的類型和作用、半導體是如何制造的，以及半導體發(fā)揮作用的領域。之后通過5章具體的內(nèi)容，闡述半導體是什么，晶體管是如何制造的，用于計算的半導體，用于存儲的半導體，光電、無線和功率半導體等。此外，本書在每章最后配有
本書較全面地論述了半導體物理的基礎知識。全書共9章，主要內(nèi)容為：半導體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài)；雜質(zhì)和缺陷能級；載流子的統(tǒng)計分布；載流子的散射及電導問題；非平衡載流子的產(chǎn)生、復合及其運動規(guī)律；pn結(jié)；金屬和半導體的接觸；半導體表面與MIS結(jié)構(gòu)；半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)。本書提供配套的教學大綱、電子課件PPT等教學資源。本書可作為高等
本書較全面地討論了半導體物理學的基礎知識。全書共11章，主要包括：半導體的晶體結(jié)構(gòu)與電子狀態(tài)，半導體的缺陷與摻雜，熱平衡時的電子和空穴分布，半導體中的載流子輸運，非平衡載流子的產(chǎn)生、復合及運動，pn結(jié)，金屬-半導體接觸，金屬-絕緣層-半導體結(jié)構(gòu)，半導體異質(zhì)結(jié)與低維結(jié)構(gòu)，半導體光學性質(zhì)，以及半導體的其他性質(zhì)。
本書較全面地論述了半導體物理的基礎知識。全書共13章，主要內(nèi)容為：半導體的晶格結(jié)構(gòu)和電子狀態(tài)；雜質(zhì)和缺陷能級；載流子的統(tǒng)計分布；載流子的散射及電導問題；非平衡載流子的產(chǎn)生、復合及其運動規(guī)律；pn結(jié)；金屬和半導體的接觸；半導體表面及MIS結(jié)構(gòu)；半導體異質(zhì)結(jié)構(gòu)；半導體的光、熱、磁、壓阻等物理現(xiàn)象和非晶態(tài)半導體。本書提供配套
本書主要介紹二維半導體物理的國際研究近況和本書作者最近的研究成果，著重在物理方面，內(nèi)容包括二維半導體的結(jié)構(gòu)、電子態(tài)、第一性原理計算方法、緊束縛方法、聲子譜、光學性質(zhì)、輸運性質(zhì)、缺陷態(tài)、磁性二維半導體、催化作用等。每一章開始先簡單介紹三維半導體的有關性質(zhì)和理論，讀者可以比較三維和二維的差別和相同之處。
本書系統(tǒng)且全面地闡述了半導體物理的基礎知識和典型半導體器件的工作原理、工作特性，內(nèi)容涵蓋量子力學、固體物理、半導體物理和半導體器件等。全書共8章，主要內(nèi)容包括：半導體中的電子運動狀態(tài)、平衡半導體中的載流子濃度、載流子的輸運、過剩載流子、pn結(jié)、器件制備基本工藝、金屬半導體接觸和異質(zhì)結(jié)、雙極晶體管。本書語言簡明扼要、通俗
半導體物理學（下冊）
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