以日本碳化硅學(xué)術(shù)界元老京都大學(xué)名譽教授松波弘之、關(guān)西學(xué)院大學(xué)知名教授大谷昇、京都大學(xué)實力派教授木本恒暢和企業(yè)實力代表羅姆株式會社的中村孝先生為各技術(shù)領(lǐng)域的牽頭，集日本半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)學(xué)研各界中的骨干代表，在各自的研究領(lǐng)域結(jié)合各自多年的實際經(jīng)驗，撰寫了這本囊括碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)焦點，以技術(shù)為主導(dǎo)、以應(yīng)用為目的的實用型
近年來.以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導(dǎo)體化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目.第三代半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于新一代移動通信、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)和國防電子等產(chǎn)業(yè).已成為國際半導(dǎo)體領(lǐng)域的重點研究方向.本書主要介紹垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工藝、特性和可靠性等相關(guān)技術(shù).內(nèi)容涵蓋垂直型和橫向功率半導(dǎo)體
傳統(tǒng)軟釬料合金在微電子工業(yè)中已得到了廣泛的應(yīng)用,然而軟釬料合金已經(jīng)不能滿足第三代寬禁帶半導(dǎo)體(碳化硅和氮化鎵)器件的高溫應(yīng)用需求。新型銀燒結(jié)/銅燒結(jié)技術(shù)和瞬態(tài)液相鍵合技術(shù)是實現(xiàn)高溫器件可靠連接的關(guān)鍵技術(shù),該技術(shù)對新能源電動汽車、軌道交通、光伏、風(fēng)電以及國防等領(lǐng)域具有重要意義。本書較為全面地介紹了當(dāng)前用于高溫環(huán)境下的芯片
本書以簡潔明了的結(jié)構(gòu)向讀者展現(xiàn)了半導(dǎo)體制造工藝中使用的設(shè)備基礎(chǔ)和構(gòu)造。全書涵蓋了半導(dǎo)體制造設(shè)備的現(xiàn)狀以及展望，同時對清洗和干燥設(shè)備、離子注入設(shè)備、熱處理設(shè)備、光刻設(shè)備、蝕刻設(shè)備、成膜設(shè)備、平坦化設(shè)備、監(jiān)測和分析設(shè)備、后段制程設(shè)備等逐章進(jìn)行解說。雖然包含了很多生澀的詞匯，但難能可貴的是全書提供了豐富的圖片和表格，幫助讀者
本書力求深入淺出、淺顯易懂。面向的對象既包含具有一定半導(dǎo)體知識的讀者，也包含與半導(dǎo)體商務(wù)相關(guān)的人士、準(zhǔn)備涉足半導(dǎo)體領(lǐng)域的人士、感興趣的職場人士、學(xué)生等。書中包含了專業(yè)性的描述，但大多數(shù)內(nèi)容都盡量寫得通俗易懂。有些地方如果不能馬上理解，積累經(jīng)驗后再讀就容易理解了。此外，對于有一定經(jīng)驗的讀者，通過整理自己的知識，嘗試去理解
本書重點討論了與氮化鎵（GaN）器件相關(guān)的內(nèi)容，共分15章，每一章都圍繞不同的主題進(jìn)行論述，涵蓋GaN材料、與CMOS工藝兼容的GaN工藝、不同的GaN器件設(shè)計、GaN器件的建模、GaN器件的可靠性表征以及GaN器件的應(yīng)用。本書的特點是每一章都由全球不同的從事GaN研究機構(gòu)的專家撰寫，引用了大量的代表新成果的文獻(xiàn)，適合
本書系統(tǒng)全面地闡述了真空鍍膜技術(shù)的基本理論知識體系以及各種真空鍍膜方法、設(shè)備及工藝。對最新的薄膜類型、性能檢測及評價、真空鍍膜技術(shù)及裝備等內(nèi)容也進(jìn)行了詳細(xì)的介紹，如金剛石薄膜的應(yīng)用及大面積制備技術(shù)、工藝、性能評價等。本書敘述深入淺出，內(nèi)容豐富而精煉，工程實踐性強，在強化理論的同時，重點突出了工程應(yīng)用，具有很強的實用性，
近些年，隨著手機、汽車、安防監(jiān)控等光學(xué)鏡頭終端市場的規(guī)模化、持續(xù)性擴(kuò)張，對光學(xué)薄膜的需求也越來越多，光學(xué)真空鍍膜技能型人才供不應(yīng)求的局面日益凸顯。本書以弱化理論、側(cè)重實踐與技能為原則，按照工序?qū)⒐鈱W(xué)真空鍍膜技術(shù)分為光學(xué)鍍膜基礎(chǔ)與膜系設(shè)計、光學(xué)薄膜制備技術(shù)、光學(xué)薄膜檢測技術(shù)三部分，對應(yīng)光學(xué)薄膜制備的三個核心流程，基于工作
本書以集成電路的發(fā)展歷程為主線,結(jié)合發(fā)生的本書主要介紹集成電路制造的各種設(shè)備,以青少年熟悉的“武林高手”的形式介紹主要集成電路制造設(shè)備,如被稱為集成電路制造的“四大金剛”離子注入機、光刻機、刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備。從這些設(shè)備在集成電路制造中的各自作用入手,圖文并茂地圍繞“精”這個字,體現(xiàn)集成電路制造設(shè)備的技術(shù)先進(jìn)性、復(fù)
本書主要介紹金納米粒子修飾的TiO2納米管陣列薄膜所構(gòu)成的Au/TiO2納米異質(zhì)結(jié)和多孔硅/TiO2納米異質(zhì)結(jié),利用穩(wěn)態(tài)和納秒時間分辨瞬態(tài)熒光光譜技術(shù),研究紫外光、可見光激發(fā)條件下,TiO2基復(fù)合異質(zhì)結(jié)光生載流子分離與復(fù)合過程的競爭機制;同時分析了金納米粒子和多孔硅對TiO2半導(dǎo)體光催化活性的影響及其機理。以上問題的研
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