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集成電路制造向幾納米節(jié)點(diǎn)工藝的發(fā)展，需要具有原子級(jí)保真度的刻蝕技術(shù)，原子層刻蝕（ALE）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。《半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)：原子層工藝》主要內(nèi)容有：熱刻蝕、熱各向同性ALE、自由基刻蝕、定向ALE、反應(yīng)離子刻蝕、離子束刻蝕等，探討了尚未從研究轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體制造的新興刻蝕技術(shù)，涵蓋了定向和各向同性ALE的全新研究和進(jìn)展�！栋�

本書(shū)以工程應(yīng)用為目標(biāo)，聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問(wèn)題及最新應(yīng)用問(wèn)題，以圖文并茂的形式，介紹了焊接的基礎(chǔ)原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見(jiàn)不良現(xiàn)象，以及組裝工藝帶來(lái)的可靠性問(wèn)題。全書(shū)結(jié)合內(nèi)容需求，編入了幾十個(gè)經(jīng)典案例，這些案例非常典型，不僅有助于讀者深入理解有關(guān)工藝的概念和原理，也可作為類(lèi)似不良

本書(shū)系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動(dòng)力學(xué)方法、動(dòng)力學(xué)蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學(xué)性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時(shí)間從亞皮秒量級(jí)到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應(yīng)用，揭示了典型半導(dǎo)

本書(shū)全面闡述了半導(dǎo)體刻蝕加工及金屬輔助化學(xué)刻蝕加工原理與工藝，詳細(xì)講述了硅折點(diǎn)納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類(lèi)典型微/納米結(jié)構(gòu)的刻蝕加工工藝，并對(duì)第三代半導(dǎo)體碳化硅的電場(chǎng)和金屬輔助化學(xué)刻蝕復(fù)合加工、第三代半導(dǎo)體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場(chǎng)和濕法刻蝕復(fù)合加工工藝進(jìn)行了詳細(xì)論述。

本書(shū)主要描述常用半導(dǎo)體器件的基本結(jié)構(gòu)、工作原理以及電特性。內(nèi)容包括：半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)、PN結(jié)、PN結(jié)二極管應(yīng)用、雙極型晶體管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、MOSFET以及新型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，如FinFET、SOIFET、納米線圍柵(GAA)FET等，共計(jì)七章。與同類(lèi)教材比較，本教材增加了pn結(jié)二極管應(yīng)用以及新型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的介紹，反

《半導(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)》作者在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域擁有40多年的研發(fā)和制造經(jīng)驗(yàn)�！栋雽�(dǎo)體先進(jìn)封裝技術(shù)》共分為11章，重點(diǎn)介紹了先進(jìn)封裝，系統(tǒng)級(jí)封裝，扇入型晶圓級(jí)/板級(jí)芯片尺寸封裝，扇出型晶圓級(jí)/板級(jí)封裝，2D、2.1D和2.3DIC集成，2.5DIC集成，3DIC集成和3DIC封裝，混合鍵合，芯粒異質(zhì)集成，低損耗介電材料和先進(jìn)

本書(shū)比較全面地介紹了當(dāng)前表面組裝技術(shù)(SMT)生產(chǎn)線及主要設(shè)備、建線工程、設(shè)備選型、基板、元器件、工藝材料等基礎(chǔ)知識(shí)和表面組裝印制電路板可制造性設(shè)計(jì)(DFM)等內(nèi)容。全書(shū)分為6章，分別是第1章緒論、第2章SMT生產(chǎn)材料準(zhǔn)備、第3章SMT涂敷工藝技術(shù)、第4章MT貼裝工藝技術(shù)、第5章MT檢測(cè)工藝技術(shù)、第6章MT清洗工藝技術(shù)

本書(shū)介紹了紅外探測(cè)領(lǐng)域的基本概念、研究進(jìn)展和發(fā)展趨勢(shì)。全書(shū)旨在為從事紅外探測(cè)器設(shè)計(jì)以及應(yīng)用的科研人員，深入介紹本領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)、分析方法、技術(shù)進(jìn)展和發(fā)展趨勢(shì)，為新型紅外焦平面器件的研發(fā)提供一定的基礎(chǔ)理論指導(dǎo)和技術(shù)支持。

本書(shū)主要介紹了通過(guò)分析在不同絕緣層制備的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能，得出絕緣層與半導(dǎo)體層表面能匹配可以提高場(chǎng)效應(yīng)遷移率的規(guī)律。全書(shū)共4章，具體內(nèi)容包括：有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)介及發(fā)展現(xiàn)狀分析，Ph5T2單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及其性能分析，表面能匹配對(duì)于不同單晶材料普適性的討論，以及利用表面能匹配為指導(dǎo)制備高遷移率DNTT單晶場(chǎng)效

本書(shū)旨在向材料及微電子集成相關(guān)專(zhuān)業(yè)的高年級(jí)本科生、研究生及從事材料與器件集成行業(yè)的科研人員介紹柵介質(zhì)材料制備與相關(guān)器件集成的專(zhuān)業(yè)技術(shù)。本書(shū)共10章，包括了集成電路的發(fā)展趨勢(shì)及后摩爾時(shí)代的器件挑戰(zhàn)，柵介質(zhì)材料的基本概念及物理知識(shí)儲(chǔ)備，柵介質(zhì)材料的基本制備技術(shù)及表征方法；著重介紹了柵介質(zhì)材料在不同器件中的集成應(yīng)用，如高κ與