《HVPE法生長(zhǎng)自支撐GaN單晶及其性質(zhì)研究》結(jié)合著者在該領(lǐng)域的研究成果，介紹了獲得高質(zhì)量自支撐GaN單晶的方法�！禜VPE法生長(zhǎng)自支撐GaN單晶及其性質(zhì)研究》的研究工作主要有以下四個(gè)方面：第2章介紹了V／Ⅲ對(duì)GaN晶體質(zhì)量和光電性質(zhì)的影響，并對(duì)其作用機(jī)理進(jìn)行了分析。隨著V／Ⅲ的增加，GaN單晶中的位錯(cuò)密度降低、殘余應(yīng)
本書(shū)主要介紹了晶體生長(zhǎng)技術(shù)及相關(guān)晶體缺陷，結(jié)合計(jì)算流體力學(xué)數(shù)值模擬和實(shí)驗(yàn)研究，系統(tǒng)的從熱流體輸運(yùn)、化學(xué)反應(yīng)等方面闡明了晶體生長(zhǎng)技術(shù)的要點(diǎn)和優(yōu)化方法。為了讀者更系統(tǒng)的了解晶體缺陷的理論和研究方法，本書(shū)也詳細(xì)介紹了分子動(dòng)力學(xué)和第一性原理的研究策略，并應(yīng)用于晶體缺陷的研究。本書(shū)的研究涵蓋了宏觀和微觀的研究方法和理論，把傳統(tǒng)的
本書(shū)分4篇探討晶體生長(zhǎng)的原理與技術(shù)。第一篇為晶體生長(zhǎng)的基本原理，分5章對(duì)晶體生長(zhǎng)的熱力學(xué)原理、動(dòng)力學(xué)原理、界面過(guò)程、生長(zhǎng)形態(tài)及晶體生長(zhǎng)初期的形核相關(guān)原理進(jìn)行論述。第二篇為晶體生長(zhǎng)的技術(shù)基礎(chǔ)，分3章進(jìn)行晶體生長(zhǎng)過(guò)程的涉及傳輸行為(傳質(zhì)、傳熱、對(duì)流)、化學(xué)基礎(chǔ)問(wèn)題(材料的提純與合成問(wèn)題)以及物理基礎(chǔ)(電、磁、力的作用原理)
本書(shū)是一本關(guān)于成核、晶體生長(zhǎng)和外延的經(jīng)典教科書(shū)，也是一本對(duì)于材料、物理、電子類專業(yè)的高年級(jí)本科生、研究生以及相關(guān)研究人員、教師的非常有價(jià)值的參考書(shū)。與該領(lǐng)域同類的書(shū)籍相比，本書(shū)不但是最早專著之一，而且也是影響力最大的一本。本書(shū)沒(méi)有過(guò)多涉及晶體生長(zhǎng)和外延的相關(guān)基本技術(shù)手段，而是集中筆墨介紹了關(guān)于晶體生長(zhǎng)和外延的熱力學(xué)和原
本書(shū)精選了王靜康院士自1965年至今的98篇學(xué)術(shù)論文，重點(diǎn)論述了工業(yè)結(jié)晶科學(xué)與技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)及其成果產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化等方面的代表作，特別是具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的熔融結(jié)晶技術(shù)、反應(yīng)結(jié)晶集成技術(shù)、溶液結(jié)晶技術(shù)的成功研發(fā)及大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推廣，使中國(guó)在該領(lǐng)域進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了可持續(xù)健康發(fā)展。
晶體生長(zhǎng)科學(xué)與技術(shù)(第二版）（上冊(cè)
鈮酸鋰晶體是集電光、聲光、非線性光學(xué)等性能于一身的一種人工晶體材料，《多種新型摻雜鈮酸鋰晶體的生長(zhǎng)和光學(xué)性能研究》以多種新型摻雜鈮酸鋰晶體為研究對(duì)象，以鐵系列的光折變性能和鐿系列的稀土發(fā)光性能為主題，總結(jié)了作者近五年來(lái)在新型摻雜鈮酸鋰晶體的制備和光學(xué)性能方面的新研究成果，尤其是鐿鈥系列雙摻雜鈮酸鋰晶體的光學(xué)性能�！抖喾N
《Springer手冊(cè)精選系列·晶體生長(zhǎng)手冊(cè)（第6冊(cè)）：晶體生長(zhǎng)專題（影印版）》致力于精選這一領(lǐng)域的部分現(xiàn)代課題，例如蛋白質(zhì)晶體生長(zhǎng)、凝膠結(jié)晶、原位結(jié)構(gòu)、單晶閃爍材料的生長(zhǎng)、光電材料和線切割大晶體薄膜。
《Springer手冊(cè)精選系列·晶體生長(zhǎng)手冊(cè)（第3冊(cè)）：熔液法晶體生長(zhǎng)技術(shù)（影印版）》關(guān)注了溶液生長(zhǎng)法。在前兩章里討論了水熱生長(zhǎng)法的不同方面，隨后的三章介紹了非線性和激光晶體、KTP和KDP。通過(guò)在地球上和微重力環(huán)境下生長(zhǎng)的比較給出了重力對(duì)溶液生長(zhǎng)法的影響的知識(shí)。
《Springer手冊(cè)精選系列·晶體生長(zhǎng)手冊(cè)（第2冊(cè)）：熔體法晶體生長(zhǎng)技術(shù)（影印版）》介紹體材料晶體的熔體生長(zhǎng)，一種生長(zhǎng)大尺寸晶體的關(guān)鍵方法。這一部分闡述了直拉單晶工藝、泡生法、布里茲曼法、浮區(qū)熔融等工藝，以及這些方法的*進(jìn)展，例如應(yīng)用磁場(chǎng)的晶體生長(zhǎng)、生長(zhǎng)軸的取向、增加底基和形狀控制。本部分涉及材料從硅和Ⅲ-V族化合
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