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"為了應(yīng)對(duì)我國(guó)在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國(guó)家的局面,破解光刻制造設(shè)備、材料和光學(xué)鄰近效應(yīng)修正軟件幾乎完全依賴進(jìn)口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近20年的資深研發(fā)人員,作者肩負(fù)著協(xié)助光刻設(shè)備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責(zé)任,將為了應(yīng)對(duì)我國(guó)在集成電路領(lǐng)域，尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國(guó)家的局

半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書詳細(xì)描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認(rèn)定，并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、測(cè)試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的最終認(rèn)定，是一本實(shí)用的、全面的指南，提供了驗(yàn)證前端器件和后端互連的測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的實(shí)際范例。

本書概述了業(yè)界前沿研究者所采取的技術(shù)方法，以及他們所面臨的挑戰(zhàn)和在該領(lǐng)域所取得的進(jìn)展。具體內(nèi)容包括寬禁帶半導(dǎo)體器件中的熱問題、氮化鎵(GaN)及相關(guān)材料的第一性原理熱輸運(yùn)建模、多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運(yùn)、固體界面熱輸運(yùn)基本理論、氮化鎵界面熱導(dǎo)上限的預(yù)測(cè)和測(cè)量、AlGaN/GaNHEMT器件物理與電熱建模、氮

《LED驅(qū)動(dòng)與應(yīng)用電路設(shè)計(jì)及案例分析》針對(duì)電子電路應(yīng)用設(shè)計(jì)實(shí)務(wù)中的痛點(diǎn)和難點(diǎn),通過案例舉一反三,使讀者能快速掌握分析和解決問題的方法和思路。全書的編排設(shè)計(jì)始終遵循以讀者為中心、成果導(dǎo)向和持續(xù)改進(jìn)的理念,以培養(yǎng)應(yīng)用型的工程技術(shù)人員為目標(biāo),貫穿于整個(gè)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的全過程。全書采用案例式教學(xué),通過問題引導(dǎo)的方式幫助讀者積累知

本書是國(guó)外學(xué)者們對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù)和趨勢(shì)的及時(shí)總結(jié)。首先，對(duì)寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢(shì)做了總結(jié)和預(yù)演判斷，講述寬禁帶功率半導(dǎo)體的基本原理和特性，包括其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性，以及它們?cè)跇O端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢(shì)。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術(shù)和襯底展開論述，同時(shí)，介紹了磁性材料，并對(duì)不同材料結(jié)構(gòu)的熱性能，以及冷

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻低、擊穿電壓高、開關(guān)速度快及熱傳導(dǎo)性好等優(yōu)點(diǎn)，相比傳統(tǒng)的Si基功率器件，可簡(jiǎn)化功率電子系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，減小系統(tǒng)損耗和體積，因而對(duì)功率電子系統(tǒng)的發(fā)展至關(guān)重要。然而，由于寬禁帶器件的外延材料和制備工藝仍不完善，器件界面缺陷密度大等問題，使得寬禁帶功率器件在高溫、高

"本書基于作者團(tuán)隊(duì)多年的光刻工藝（包括先進(jìn)光刻工藝）研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，從集成電路工廠的基本結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體芯片制造中常用的控制系統(tǒng)、圖表等基本內(nèi)容出發(fā)，依次介紹光刻基礎(chǔ)知識(shí)，一個(gè)6晶體管靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的電路結(jié)構(gòu)與3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)中SRAM制造的基本工藝流程，光刻機(jī)的發(fā)展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型，光刻工藝標(biāo)準(zhǔn)化與

本書詳細(xì)地闡述了寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展現(xiàn)狀、電熱行為模型建模方法與模型參數(shù)提取優(yōu)化算法、開通和關(guān)斷過電壓?jiǎn)栴}分析和抑制方法、串?dāng)_導(dǎo)通問題機(jī)理與抑制方法。通過LLC變換器展示了如何借助寬禁帶器件電熱行為模型完成功率變換器硬件優(yōu)化設(shè)計(jì)和控制算法的仿真驗(yàn)證，并分析了平面磁集成矩陣變壓器的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，建立了LLC變換器小

《低維半導(dǎo)體材料及其信息能源器件》講述了低維半導(dǎo)體材料與器件的制備與構(gòu)筑及其在電子信息和綠色能源領(lǐng)域的新穎應(yīng)用。全書共7章，涵蓋了低維材料的生長(zhǎng)和表征、二維半導(dǎo)體材料在觸覺傳感器的應(yīng)用、二維過渡金屬硫化合物感通融器件、二維過渡金屬硫化物的納米光子學(xué)和光電子學(xué)、二維半導(dǎo)體材料材料非易失性阻變存儲(chǔ)器和射頻開關(guān)、四/五主族二

本書是作者從事電子制造40年來有關(guān)單板互連可靠性方面的經(jīng)驗(yàn)總結(jié),討論了單板常見的失效模式、典型失效場(chǎng)景以及如何設(shè)計(jì)與制造高可靠性產(chǎn)品的廣泛?jiǎn)栴}，并通過大量篇幅重點(diǎn)討論了焊點(diǎn)的斷裂失效現(xiàn)象及裂紋特征。全書內(nèi)容共4個(gè)部分，第一部分為焊點(diǎn)失效機(jī)理與裂紋特征，詳細(xì)介紹焊點(diǎn)的失效模式、失效機(jī)理、裂紋特征及失效分析方法;第二部分為