本書內容包括PROTEUS軟件的基本操作、模擬和數(shù)字電路的分析方法、單片機電路的軟硬件調試、Intel8086微處理器的軟硬件調試、DSP的軟硬件調試和PCB設計方法。本書亮點可視化設計、物聯(lián)網項目的設計開發(fā)，以及PCB設計等內容。為了便于讀者學習，本書電子資料提供與書中
本書系統(tǒng)論述先進電子SMT制造技術與技能，并介紹了非常便于教學的"SMT專業(yè)技術資格認證培訓和考評平臺AutoSMT-VM2.1”上實訓的方法步驟，以及SMT專業(yè)技術資格認證考試方法，將理論、實踐技能和認證考試進行了有機整合和詳細論述，使學員很好地掌握現(xiàn)代化先進電子SMT制造技術。全書介紹SMT基礎、PCB設計、SMT
本書介紹了激光與熔石英窗口作用的研究進展和物理機制，以及作者近年來在激光誘導1064nm增透熔石英窗口的損傷研究領域取得的一些研究成果，包括激光誘導熔石英窗口損傷過程建模、激光與熔石英窗口相互作用過程仿真、在線系統(tǒng)測試1064nm增透熔石英窗口損傷演化過程、離線系統(tǒng)測量1064nm增透熔石英窗口損傷特性，同時也對激光誘
《非晶Ge基磁性半導體的磁性和電輸運研究》采取非熱平衡制備條件，利用磁控濺射的方法在純氬氣（Ar）以及氬氫（Ar；H）混合氣體中，制備了高FeCo摻雜含量的非晶Ge基磁性半導體（FeCo）xCe1-x薄膜以及（FeCo）xGe1-x/Ge異質結，從磁特性和電輸運特性的角度進行了研究�！斗蔷e基磁性半導體的磁性和電輸運
本書是作者長期從事直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬與工藝優(yōu)化研究的總結。書中在概述硅單晶發(fā)展前景、主要生長設備及關鍵工藝的基礎上，介紹直拉硅單晶生長過程數(shù)值模擬方法、工藝流程與參數(shù)設置、熱系統(tǒng)設計與制造等方面的內容；從介觀層面闡述多物理場耦合作用對晶體生長的影響，并給出關鍵工藝參數(shù)選取方法；提出一系列結合變量檢測、智能優(yōu)化及
本書對復雜的半導體制造系統(tǒng)智能調度問題從理論到方法再到應用,進行了系統(tǒng)論述。主要內容包括數(shù)據(jù)驅動的半導體制造系統(tǒng)調度框架、半導體制造系統(tǒng)數(shù)據(jù)預處理的方法、半導體生產線性能指標相關性分析、智能化投料控制策略、一種模擬信息素機制的動態(tài)派工規(guī)則、基于負載均衡的半導體生產線的動態(tài)調度和性能指標驅動的半導體生產線動態(tài)調度方法、大
有機光功能材料與器件在信息、工業(yè)、國防、醫(yī)療等各個行業(yè)都有重要的應用，是未來光子發(fā)展以及國際高技術競爭的重要陣地。本書重點介紹了有機光功能材料及其在激光器件方面的應用，從光功能材料的發(fā)光機理、激發(fā)態(tài)過程及激光基礎理論出發(fā)，討論有機微納激光發(fā)展現(xiàn)狀和未來的激光顯示應用。
本書以作者及其研究團隊多年的研究成果為基礎，系統(tǒng)地介紹了Ⅲ族氮化物發(fā)光二極管的材料外延、芯片制作、器件封裝和系統(tǒng)應用，內容集學術性與實用性為一體。全書共12章，內容包括：Ⅲ族氮化物LED的基本原理、材料性質及外延生長理論，InGaN/GaN多量子阱材料及藍、綠光LED，AlGaN/GaN多量子阱材料及紫外LED，Ⅲ族氮
本書共分為6章：第1章是關于AlX(X=N,P,As)化合物的研究進展的專題介紹，引出了現(xiàn)階段AlX(X=N,P,As)化合物的機遇與挑戰(zhàn)。第二章以實驗上已有AlX(X=N,P,As)化合物物相為對象，開展AlX(X=N,P,As)化合物的性質研究及對比分析，闡明組分改變對相同結構的AlX化合物的性質影響規(guī)律。第三章中
本書首先對不同類型的IGBT工作原理進行了介紹，然后從IGBT的結構出發(fā)，給出了IGBT中MOS結構和雙極型結構的工作原理，接下來詳細說明了它們如何影響IGBT的正向傳導特性，詳細研究了IGBT模型，包括靜態(tài)、動態(tài)和電熱行為，討論了IGBT中的閂鎖效應，以及預防閂鎖的詳細處理方法。借助計算機輔助設計工具深入研究了IGB
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