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氮化鋁晶體具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，是制備紫外發(fā)光器件和大功率電力電子器件的理想材料。本書(shū)以作者多年的研究成果為基礎(chǔ)，參考國(guó)內(nèi)外的最新研究成果，詳細(xì)介紹了氮化鋁單晶材料生長(zhǎng)與器件制備的基本原理、技術(shù)工藝、最新進(jìn)展及發(fā)展趨勢(shì)。本書(shū)共7章，內(nèi)容包括氮化鋁單晶材料的基本性質(zhì)、缺陷及其生長(zhǎng)的物理基礎(chǔ)，物理氣相傳輸

本書(shū)聚焦電致變色，系統(tǒng)地總結(jié)了有機(jī)電致變色研究領(lǐng)域的最新研究成果。全書(shū)內(nèi)容涵蓋有機(jī)電致變色的發(fā)展歷程、器件結(jié)構(gòu)與原理、器件性能與測(cè)試、材料類(lèi)型、多功能器件及電致變色器件的應(yīng)用與展望等，對(duì)于全面了解電致變色材料領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展具有重要作用。本書(shū)具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：1）介紹了不同的電致變色材料與器件研究方面的發(fā)展情況和最新

量子點(diǎn)發(fā)光二極管（QLED）是顯示領(lǐng)域的一種新型材料，因其具有發(fā)光效率高、可溶解加工、色域廣、制造成本低、響應(yīng)速度快等優(yōu)勢(shì)，備受科研人員關(guān)注，有望在商業(yè)上獲得廣泛應(yīng)用。本書(shū)旨在向讀者介紹近年來(lái)國(guó)內(nèi)外膠體量子點(diǎn)發(fā)光材料與器件的進(jìn)展，全面總結(jié)膠體量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件中各功能層關(guān)鍵材料和器件的設(shè)計(jì)及優(yōu)化方案，探討材料性能、器

本書(shū)以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導(dǎo)體制造工藝的各個(gè)技術(shù)環(huán)節(jié)。全書(shū)共分為10章，包括俯瞰功率半導(dǎo)體工藝全貌、功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)及運(yùn)作、各種功率半導(dǎo)體的作用、功率半導(dǎo)體的用途與市場(chǎng)、功率半導(dǎo)體的分類(lèi)、用于功率半導(dǎo)體的硅晶圓、硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的SiC與GaN、功率半導(dǎo)體制造過(guò)程的特征、功率半導(dǎo)體開(kāi)辟綠色

本書(shū)基于作者在薄膜晶體管液晶顯示器領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)實(shí)踐與理解，并結(jié)合液晶顯示技術(shù)的最新發(fā)展動(dòng)態(tài)，首先介紹了光的偏振性及液晶基本特點(diǎn)，然后依次介紹了主流的廣視角液晶顯示技術(shù)的光學(xué)特點(diǎn)與補(bǔ)償技術(shù)、薄膜晶體管器件的SPICE模型、液晶取向技術(shù)、液晶面板與電路驅(qū)動(dòng)的常見(jiàn)不良與解析，最后介紹了新興的低藍(lán)光顯示技術(shù)、電競(jìng)顯示技術(shù)、量子點(diǎn)

本書(shū)共七章，內(nèi)容包括緒論、InAs/AlSb異質(zhì)結(jié)外延材料特性及工藝、InAs/AlSbHEMTs器件特性及工藝、InAs/AlSbMOS-HEMTs基礎(chǔ)研究、InAs/AlSbHEMTs器件模型、InAs/AlSbHEMTs低噪聲放大器設(shè)計(jì)以及總結(jié)和展望。

本書(shū)以寬禁帶半導(dǎo)體微結(jié)構(gòu)與光電器件光學(xué)表征為主線(xiàn)，按照面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體前沿課題，注重先進(jìn)光電器件與材料微結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)性質(zhì)和過(guò)程進(jìn)行光學(xué)表征，以提升寬禁帶半導(dǎo)體光電子器件性能為目的的原則安排全書(shū)內(nèi)容，從應(yīng)用基礎(chǔ)研究和研發(fā)先進(jìn)光電子器件的角度出發(fā)，組織全國(guó)在該領(lǐng)域前沿進(jìn)行一線(xiàn)科研工作的學(xué)者進(jìn)行編寫(xiě)，力爭(zhēng)用通俗易懂的語(yǔ)言，由淺

激光熱敏光刻具有以下特點(diǎn):1)寬波段光刻,這類(lèi)光刻膠的吸收光譜一般都覆蓋從近紅外到極紫外的整個(gè)光刻曝光的波段,可以稱(chēng)之為寬波段光刻膠;2)突破衍射極限的光刻,光刻特征尺寸不再受制于光學(xué)衍射極限,而是取決于熱致結(jié)構(gòu)變化區(qū)域的尺寸;3)跨尺度光刻,光刻中激光光斑的強(qiáng)度一般呈高斯分布,光斑中心的溫度高,沿四周擴(kuò)散并逐漸降低,

本書(shū)主要介紹了第一性原理及其在計(jì)算機(jī)模擬中各種參數(shù)的設(shè)置問(wèn)題和實(shí)際模擬中的參數(shù)選擇,以及該方法在基于表面改性設(shè)計(jì)的氮化鎵/氮化銦納米線(xiàn)、氮化鎵納米薄膜等納米材料在外場(chǎng)(電場(chǎng)或應(yīng)變場(chǎng))作用下電學(xué)性質(zhì)和磁學(xué)性質(zhì)研究中的應(yīng)用,并將材料進(jìn)一步拓展到外場(chǎng)下表面改性的類(lèi)石墨烯(錫烯和鍺烯等)納米材料。

功率半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)