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全書由模擬電路實(shí)驗(yàn)、數(shù)字電路實(shí)驗(yàn)、綜合實(shí)驗(yàn)、電子產(chǎn)品組裝與調(diào)試及常用儀表使用共五章內(nèi)容組成。在實(shí)驗(yàn)內(nèi)容安排上，力求將分析、設(shè)計(jì)及驗(yàn)證融為一體，強(qiáng)化故障排除能力訓(xùn)練；實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目全程貫穿識(shí)圖、元器件識(shí)別檢測、測試結(jié)果分析等環(huán)節(jié)訓(xùn)練，以突出教學(xué)對(duì)象技能培養(yǎng)的要求。為了達(dá)到教學(xué)效果，實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目以大學(xué)時(shí)（4學(xué)時(shí)）教學(xué)進(jìn)行設(shè)計(jì)。

本書系統(tǒng)闡述了表面組裝元器件、表面組裝材料、表面組裝工藝、表面組裝設(shè)備原理及應(yīng)用等SMT基礎(chǔ)內(nèi)容。針對(duì)SMT產(chǎn)品制造業(yè)的技術(shù)發(fā)展及崗位需求，詳細(xì)介紹了表面組裝技術(shù)的SMB設(shè)計(jì)與制造、焊錫膏印刷、點(diǎn)膠、貼片、波峰與再流焊接、檢驗(yàn)、清洗等基本技能。為解決學(xué)校實(shí)訓(xùn)條件不足和增加學(xué)生感性認(rèn)識(shí)的需要，書中配置了較大數(shù)量的實(shí)物圖片

薄膜晶體管（TFT）是一種金屬-絕緣層-半導(dǎo)體場效應(yīng)管，迄今已經(jīng)歷了60年的發(fā)展，在原理與技術(shù)方面的創(chuàng)新層出不窮�！侗∧ぞ�體管原理與技術(shù)》首先概述TFT的物理基礎(chǔ)及典型薄膜工藝原理；接著以氫化非晶硅、低溫多晶硅、金屬氧化物和有機(jī)TFT為主，系統(tǒng)介紹TFT相關(guān)的材料、器件及制備技術(shù)；再以有源驅(qū)動(dòng)液晶顯示和有機(jī)發(fā)光顯示兩種

本書沿半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展歷程，分基礎(chǔ)、應(yīng)用與制造三條主線展開。其中，基礎(chǔ)線主要覆蓋與半導(dǎo)體材料相關(guān)的量子力學(xué)、凝聚態(tài)物理與光學(xué)的一些常識(shí)。應(yīng)用線從晶體管與集成電路的起源開始，逐步過渡到半導(dǎo)體存儲(chǔ)與通信領(lǐng)域。制造線以集成電路為主展開，并介紹了相應(yīng)的半導(dǎo)體材料與設(shè)備。三條主線涉及了大量與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)相關(guān)的歷史。筆者希望能夠

本書共六章,內(nèi)容包括:緒論、硅膠基間接固態(tài)發(fā)光氮摻雜碳點(diǎn)的構(gòu)筑及其在黃光發(fā)光二級(jí)管中的應(yīng)用、聚乙烯醇基間接固態(tài)發(fā)光氮硫共摻雜碳點(diǎn)的構(gòu)筑及其在暖白光發(fā)光二級(jí)管中的應(yīng)用、直接固態(tài)發(fā)光氮摻雜碳點(diǎn)的構(gòu)筑及其在多色發(fā)光二級(jí)管中的應(yīng)用、氮硫共摻雜碳點(diǎn)的構(gòu)筑及其在倒置太陽能電池中的應(yīng)用、結(jié)論與展望。

本書以作者近年來的研究成果為基礎(chǔ)，結(jié)合國際研究進(jìn)展，系統(tǒng)地介紹了金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體器件的物理特性和實(shí)現(xiàn)方法，重點(diǎn)介紹了氫終端金剛石場效應(yīng)管器件。全書共8章，內(nèi)容包括緒論、金剛石的表面終端、氫終端金剛石場效應(yīng)管的原理和優(yōu)化、金剛石微波功率器件、基于各種介質(zhì)的氫終端金剛石MOSFET、金剛石高壓二極管、石墨烯/金剛石復(fù)合

本書主要介紹近幾年發(fā)展較快的氧化鎵半導(dǎo)體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測器件等方面都具有重要的應(yīng)用前景。本書共分為7章，第1~4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導(dǎo)體材料的基本結(jié)構(gòu)，單晶生長和薄膜外延方法，電學(xué)特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導(dǎo)體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注

隨著太赫茲技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)固態(tài)器件在耐受功率等方面已經(jīng)很難提升，導(dǎo)致現(xiàn)有的太赫茲源輸出功率低，不能滿足太赫茲系統(tǒng)工程化的需求。寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵具有更高擊穿場強(qiáng)、更高熱導(dǎo)率和更低介電常數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，在研制大功率固態(tài)源、高速調(diào)制和高靈敏探測方面具有優(yōu)勢。本書主要介紹氮化物太赫茲器件的最新進(jìn)展，包括氮化鎵太赫茲二極管、三極管、

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應(yīng)用前景。本書從氧化鎵半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程、材料特性、材料制備原理與技術(shù)及電學(xué)性質(zhì)調(diào)控等幾個(gè)方面做了較全面的介紹，重點(diǎn)梳理了作者及國內(nèi)外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統(tǒng)闡述了獲得高質(zhì)量體塊單晶及薄膜的

本書以第三代半導(dǎo)體與二維材料相結(jié)合的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用為目標(biāo)，詳細(xì)介紹了二維材料上準(zhǔn)范德華外延氮化物的理論計(jì)算、材料生長、器件制備和應(yīng)用，內(nèi)容集學(xué)術(shù)性與實(shí)用性于一體。全書共8章，內(nèi)容包括二維材料及準(zhǔn)范德華外延原理及應(yīng)用、二維材料/氮化物準(zhǔn)范德華外延界面理論計(jì)算、二維材料/氮化物準(zhǔn)范德華外延成鍵成核、單晶襯底上氮化物薄膜準(zhǔn)范德華